时间：2025/5/23 21:35:30
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2N7002KDW-TP是一款增强型N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及其他低电压应用领域。该器件采用TO-252封装形式，具有高可靠性和良好的电气性能，适合表面贴装技术（SMT）使用。
这款MOSFET以其实现小信号和中等功率控制的能力而著称，同时具备低导通电阻和快速开关速度的特性，有助于提高系统的效率并降低功耗。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：3A
导通电阻（Rds(on)）：2.9Ω（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗：480mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-252
1. 低导通电阻设计，确保高效运行和更低的功耗。
2. 快速开关能力，适用于高频电路。
3. 高输入阻抗，减少驱动电路的电流消耗。
4. 增强型结构，提供更好的稳定性和可靠性。
5. 表面贴装封装，便于自动化生产和焊接。
6. 符合RoHS标准，绿色环保材料。
1. 开关电源中的开关元件。
2. DC-DC转换器的同步整流应用。
3. 负载开关在便携式电子设备中的使用。
4. 电池保护电路。
5. 继电器替代方案。
6. 小信号放大器或驱动电路中的开关元件。
7. 各种低功率、低电压的应用场景。
2N7002KM, BSS138, FDN340P
