存储容量：256Kbit
　　组织结构：32K x 8
　　电源电压：2.3V 至 3.6V
　　最大访问时间：70ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSSOP
　　引脚数：52
　　功耗：典型值 10mA（待机模式下低于10μA）
　　读写操作：异步读/写操作
　　控制信号：片选（CE）、写使能（WE）、输出使能（OE）
　　数据输入/输出：8位双向数据总线

GM76C256CLLWT-70具备高速存取能力，访问时间仅为70ns，可满足高速控制系统和数据缓存的需求。该芯片采用低功耗设计，在待机模式下电流消耗极低，非常适合对功耗敏感的应用场景，如便携式设备和电池供电系统。CMOS工艺赋予其高噪声抑制能力和稳定性，确保数据的可靠读写。此外，其异步接口设计简化了与微控制器、DSP和其他逻辑器件的连接，提高了系统集成的灵活性。
　　工业级温度范围支持该芯片在极端环境条件下正常工作，如工业控制、汽车电子和自动化设备等。TSSOP封装形式不仅节省空间，还提升了散热性能，增强了整体可靠性。该芯片内部结构采用全静态设计，无需刷新操作，简化了外部控制逻辑。此外，其宽电压范围（2.3V至3.6V）提供了更大的系统设计灵活性，适应不同电源供应方案。

该SRAM芯片广泛应用于工业控制设备、嵌入式系统、通信设备、医疗仪器、测试测量设备、智能仪表和消费类电子产品。例如，在工业PLC控制器中作为临时数据存储器，在通信模块中用于缓存数据帧，在手持式测试仪器中作为快速访问的存储单元等。

IS62C256ALBLL-70N，CY62157EVLL-70B，EM685645TS-70LL，IDT71V016S070B