时间：2025/5/27 18:00:44
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2N7002E 是一种 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于模拟和数字电路中。它是一种小型、高性能的功率晶体管，适用于各种开关和放大应用。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点，使其成为便携式设备、电源管理电路以及信号处理电路中的理想选择。
2N7002E 属于 Vishay Siliconix 公司的 2N7002 系列，经过优化设计以提供更高的可靠性和稳定性。它的封装形式通常为 TO-92 或 SOT-23 小型封装，非常适合对空间要求较高的应用场景。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
最大连续漏极电流：200mA
最大脉冲漏极电流：1.1A
导通电阻（Rds(on)）：1.8Ω（在 Vgs=10V 时）
总功耗：400mW
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
2N7002E 的主要特性包括以下几点：
1. 高开关速度：由于其结构设计，2N7002E 的开关时间非常短，适合高频应用。
2. 低导通电阻：当栅源电压达到一定值时，漏源之间的导通电阻较低，从而减少功率损耗。
3. 增强型操作：只有当栅源电压超过阈值电压时，MOSFET 才会导通，这使得它非常适合用作电子开关。
4. 小型封装：采用 TO-92 或 SOT-23 封装，节省了印刷电路板上的空间。
5. 宽工作温度范围：能够在极端温度条件下正常工作，适应各种环境需求。
2N7002E 可用于多种电子应用，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源中的同步整流器。
2. 电池供电设备中的负载开关。
3. 数字逻辑电路中的信号开关。
4. 电机驱动和继电器控制。
5. 保护电路中的过流保护和短路保护。
6. 音频和视频设备中的信号切换。
由于其高效率和可靠性，2N7002E 在消费电子、工业控制和通信设备中都有广泛应用。
2N7002K, BSS138, FDN340P
