时间：2025/5/28 20:36:40
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PDP50N20是一款N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效开关和低导通损耗的场景。该器件采用TO-220封装形式，具有较低的导通电阻和较高的电流承受能力，能够满足多种工业和消费类电子应用的需求。
这款MOSFET在设计上注重效率与可靠性，其高击穿电压和低导通电阻的特点使其成为许多大功率应用的理想选择。
最大漏源电压：200V
最大漏极电流：50A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：45nC
总功耗：125W
工作温度范围：-55℃ to +150℃
PDP50N20的主要特性包括：
1. 高击穿电压：能够承受高达200V的漏源电压，适合高压环境下的应用。
2. 低导通电阻：在额定条件下，导通电阻仅为0.18Ω，有助于减少导通损耗，提高系统效率。
3. 大电流能力：支持最高50A的漏极电流，适用于需要大电流处理的应用场景。
4. 快速开关性能：由于栅极电荷较小（45nC），该器件具备快速开关能力，可有效降低开关损耗。
5. 高可靠性：经过严格测试，确保在恶劣环境下长期稳定运行。
6. 宽温工作范围：能够在-55℃至+150℃的工作温度范围内正常工作，适应各种环境条件。
PDP50N20适用于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）：用于高效能量转换和管理。
2. 电机驱动：为直流无刷电机或其他类型电机提供驱动电流。
3. 逆变器：在太阳能逆变器和其他电力转换设备中实现高效的直流到交流转换。
4. 电池管理系统：用于保护电池组免受过流或短路的影响。
5. 工业控制：用于各类工业自动化设备中的开关和控制功能。
6. 汽车电子：用于汽车启动、照明以及各种车载电子设备的控制。
IRF540N
STP50NF20
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