型号：2N7002E-7-F
　　制造商：Diodes Incorporated
　　封装/外壳：SOT-23 (SC-59)
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60 V
　　连续漏极电流（Id）：300 mA（@ 10V Vgs）
　　脉冲漏极电流（Idm）：1.2 A
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5 Ω（@ 10V Vgs）；5.2 Ω（@ 4.5V Vgs）
　　阈值电压（Vgs(th)）：1.0 V ~ 2.5 V（典型值约1.5V）
　　输入电容（Ciss）：23 pF（@ 10V Vds）
　　开启延迟时间（td(on)）：7 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：18 ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C（Tj）
　　功耗（Pd）：200 mW（@ Ta=25°C）
　　极性：单N沟道
　　安装类型：表面贴装（SMD）

2N7002E-7-F采用了先进的沟槽型MOSFET制造工艺，这种结构能够有效降低单位面积下的导通电阻，从而提升器件的整体效率。其最大漏源电压为60V，在同类小信号MOSFET中属于较高水平，使其不仅适用于5V系统，也能安全应用于某些接近或略高于常规逻辑电压的应用环境。该器件的导通电阻在10V栅压下仅为4.5Ω，而在4.5V栅压下也仅为5.2Ω，表明其具有良好的低电压驱动能力，尤其适合电池供电设备中的节能设计。
　　该MOSFET的阈值电压范围为1.0V至2.5V，确保了在3.3V甚至更低的逻辑电平下仍能实现可靠的开启操作，避免因驱动不足导致的开关损耗增加问题。同时，其输入电容仅为23pF，意味着在高频开关应用中所需的驱动能量较少，有助于减少控制电路的负载并提高整体系统的响应速度。开关延迟时间方面，开启延迟约为7ns，关断延迟约为18ns，表现出快速的动态响应能力，适用于高达数百kHz的PWM调制场景。
　　热性能方面，2N7002E-7-F的最大结温可达+150°C，具备较强的热稳定性，可在严苛的工作环境中保持可靠性。尽管其封装小巧，但通过优化芯片与引线框架之间的热传导路径，能够在有限的散热条件下承受一定的持续电流（最高300mA）。此外，该器件通过AEC-Q101认证的可能性虽未明确标注，但在汽车电子辅助系统中仍有广泛应用案例，例如LED驱动、继电器控制和传感器信号切换等。
　　值得一提的是，2N7002E-7-F完全符合RoHS指令要求，不含铅等有害物质，并支持回流焊工艺，适应现代电子产品绿色制造的趋势。其SOT-23封装仅有三个引脚（G-S-D），引脚排列标准化，便于PCB布线和替换。作为一款性价比高的通用型N-MOSFET，它在替代传统双极性晶体管进行开关控制时展现出更高的效率和更简单的驱动需求。

2N7002E-7-F广泛应用于各类低压电子系统中，主要用于信号级和小功率负载的开关控制。常见用途包括微控制器输出驱动增强，用于控制LED指示灯、蜂鸣器、小型继电器或固态继电器的开启与关闭。由于其逻辑电平兼容性好，特别适合嵌入式系统中GPIO端口无法直接提供足够驱动电流的情况，可作为缓冲或电平转换元件使用。
　　在电源管理领域，该器件常被用于负载开关电路，实现对特定子系统的上电/断电控制，以达到节能目的。例如在便携式设备如智能手机、平板电脑或可穿戴设备中，利用2N7002E-7-F来动态启用或禁用某个功能模块（如传感器、无线模块），从而延长电池续航时间。此外，它也可用于过压或反向电压保护电路中，配合其他元件构建简单的电源路径管理方案。
　　工业自动化和通信设备中，2N7002E-7-F常用于多路信号选择、I2C总线隔离、电平移位以及模拟开关前级控制等场合。由于其低输入电容和快速开关特性，不会对高速数据传输造成明显干扰，因此在数字接口保护电路中表现良好。在消费类电子产品如电视、机顶盒、路由器中，该器件也普遍用于状态指示灯控制、风扇启停或按键扫描电路中的驱动级。
　　另外，由于其小尺寸封装，非常适合高密度PCB布局，尤其是在空间受限的紧凑型设计中发挥重要作用。无论是原型开发还是批量生产，2N7002E-7-F都因其高度的可用性和稳定的供货渠道而受到工程师青睐。

BSS138, DMG2302UK-7, FDN302P, SI2302DS, ZXMN2A01Z, NTD3055L104, AO3400, IRLML6344