时间：2025/8/2 8:07:36
阅读：33
DMP6110SSS-13 是一款由 Diodes 公司生产的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和负载开关应用。这款器件采用 SOT26 封装，具有较低的导通电阻和快速的开关性能，适用于电池供电设备、便携式电子产品以及需要高效能、低功耗的电路设计。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：-20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：-4.1A（@25°C）
导通电阻（RDS(ON)）：55mΩ（@VGS = -4.5V）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装：SOT26
DMP6110SSS-13 的主要特性包括低导通电阻、高电流承载能力和快速开关速度，使其在高效率电源转换系统中表现出色。该器件采用先进的沟槽技术，实现了更低的导通损耗和更高的热稳定性。此外，其 SOT26 小型封装设计有助于节省 PCB 空间，适合高密度电路板布局。该 MOSFET 还具有良好的抗静电能力和较高的可靠性，能够在各种恶劣环境下稳定工作。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 -4.5V 至 -8V 的驱动电压，便于与不同类型的控制器或驱动器配合使用。其快速开关特性可减少开关损耗，提高整体系统效率，尤其适用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电池保护电路等应用。此外，DMP6110SSS-13 还具备良好的热阻性能，可在高负载条件下保持稳定的导通状态，减少温度对性能的影响。
DMP6110SSS-13 主要用于以下应用领域：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中的负载开关和电池管理系统；电源管理模块中的 DC-DC 转换器和同步整流器；工业控制系统的开关电源；LED 照明驱动电路；以及各种低电压、高效率的电源转换系统。此外，该器件也适用于需要快速开关和低导通损耗的电机控制和传感器电源管理应用。
Si7153DP-T1-GE3, FDN340P, DMG26D0UDW-13
