MCF02KTB160104 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率开关芯片,专为高频率、高效率的应用场景设计。该器件采用先进的封装工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,适用于电源管理、适配器、快充以及高频DC-DC转换等应用领域。
其内部集成了驱动电路与保护机制,能够显著简化系统设计并提高整体可靠性。此外,MCF02KTB160104 支持宽范围输入电压,并提供多种保护功能,如过流保护、过温保护和短路保护。
型号:MCF02KTB160104
类型:GaN 功率开关
最大漏源电压(Vds):650 V
导通电阻(Rds(on)):160 mΩ
栅极电荷(Qg):35 nC
最大电流(Id):10 A
工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
封装形式:TO-252 (DPAK)
输入电压范围:10V 至 600V
开关频率:高达 2 MHz
MCF02KTB160104 的主要特性包括:
1. 基于氮化镓材料的高性能晶体管结构,具有更低的开关损耗和更高的效率。
2. 内置驱动电路,支持直接PWM控制,无需额外驱动芯片。
3. 超低导通电阻(Rds(on)),有效减少传导损耗。
4. 快速开关速度,适合高频应用场合。
5. 集成多重保护功能,包括过流保护、过温保护和短路保护,确保运行安全。
6. 小型封装设计,节省PCB空间,同时提供良好的散热性能。
7. 支持宽范围输入电压,适应性强,可满足多种应用场景需求。
MCF02KTB160104 广泛应用于以下领域:
1. USB PD 快充适配器。
2. 高频 DC-DC 转换器。
3. 开关电源(SMPS)设计。
4. 工业电源模块。
5. 电动车充电设备。
6. 光伏逆变器中的功率调节。
7. LED 驱动电源。
8. 通信基站电源系统。
这款芯片凭借其高效的性能和强大的稳定性,成为现代电子设备中电源管理的理想选择。
MCF02KTA160104
MCF02KTC160104
GaN064-08L0BA