类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（Vds）：600 V
　　栅源电压（Vgs）：±30 V
　　连续漏极电流（Id）：2.0 A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：8.0 A
　　导通电阻（Rds(on)）：7.5 Ω @ Vgs = 10 V
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0 ~ 4.0 V @ Id = 250 μA
　　输入电容（Ciss）：300 pF @ Vds = 25 V
　　输出电容（Coss）：90 pF @ Vds = 25 V
　　反向恢复时间（trr）：28 ns
　　最大功耗（Ptot）：50 W
　　工作结温范围：-55 °C ~ +150 °C
　　封装形式：TO-220F

2N60L-AA3-R具备优异的开关特性和热稳定性，其核心优势在于在600V高耐压条件下实现了相对较低的导通电阻，这有助于减少导通期间的能量损耗，提升电源系统的整体能效。
　　该器件采用了ON Semiconductor成熟的平面工艺技术，确保了批次间的一致性和长期工作的可靠性。其栅极结构经过优化设计，降低了栅极电荷（Qg），从而减少了驱动电路所需的能量，并加快了开关速度，有利于在高频开关应用中降低开关损耗。同时，较低的输入电容（Ciss）和输出电荷（Qoss）使得器件在快速切换时对驱动电路的要求更低，适用于基于PWM控制器的小功率电源拓扑。
　　2N60L-AA3-R还具备良好的抗雪崩能力，意味着在发生电感负载突然断开或短路故障时，器件能够承受一定的能量冲击而不被损坏，提高了整个电源系统的鲁棒性。这种特性对于需要长时间稳定运行的家电和工业设备尤为重要。
　　此外，TO-220F封装不仅提供了良好的机械强度，而且其底部带有绝缘片的设计允许器件直接固定在散热器上而无需额外的绝缘垫片，在保证安全的同时简化了装配流程。该封装也具备较强的散热能力，可在较高环境温度下维持正常工作。
　　该MOSFET的阈值电压范围适中（2.0V~4.0V），兼容多种常见的PWM控制IC输出逻辑电平，尤其适合由专用电源管理芯片直接驱动的应用场景。综合来看，2N60L-AA3-R是一款兼顾性能、可靠性和成本效益的理想选择，特别适用于中小功率开关电源设计。

2N60L-AA3-R广泛应用于各类中小功率开关电源系统中，典型用途包括AC-DC适配器、充电器、LED照明驱动电源以及家用电器中的内置电源模块。
　　在反激式（Flyback）转换器拓扑中，该器件常作为主开关管使用，负责将输入的高压直流电周期性地切断并传递至变压器初级侧，通过变压器耦合实现电压变换与电气隔离。由于其600V的击穿电压足以应对整流后的市电峰值电压（如220V AC整流后约310V DC），因此可直接用于离线式电源设计，无需前置降压电路。
　　在LED恒流驱动电路中，2N60L-AA3-R可用于构建初级侧斩波电路，配合电流检测电阻和反馈控制机制实现稳定的输出电流调节，满足LED照明对光效和寿命的要求。
　　此外，它也被用于电机控制、继电器驱动和DC-DC升压/降压变换器中，作为高速开关元件完成能量传输任务。
　　由于其封装形式支持良好的散热性能，因此即使在密闭空间或高温环境下也能保持稳定运行，适用于紧凑型电源设计。结合其高性价比特点，2N60L-AA3-R已成为许多消费类电子产品制造商在入门级电源方案中的首选功率MOSFET之一。

STP2NK60Z-1
　　FQP6N60L
　　KSP12N60MU
　　2SK2542
　　SGT6N60L