时间：2025/4/29 18:20:34
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2N7002DW 是一款 N 沣道艼沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）。它广泛应用于模拟和数字电路中，主要用于开关和放大功能。该器件具有低栅极电荷、快速开关速度和高可靠性等特点，适用于多种电源管理应用和信号处理场景。
2N7002DW 的设计使其能够承受较高的漏源电压，并且具备较小的导通电阻，在低功率应用中表现出色。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
最大漏电流：300mA
最大功耗：400mW
导通电阻：1.8Ω（典型值）
栅极电荷：9nC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
2N7002DW 具有以下主要特点：
1. 高输入阻抗，减少驱动电路的负载。
2. 快速开关能力，适合高频应用。
3. 热稳定性良好，能够在较宽的温度范围内可靠运行。
4. 小封装尺寸，便于在紧凑型设计中使用。
5. 良好的电气性能，包括较低的导通电阻和栅极电荷，从而提高效率并降低功耗。
6. 它还具备 ESD 保护设计，增加了器件的耐用性和可靠性。
2N7002DW 可用于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）中的开关元件。
2. 电池供电设备中的负载开关。
3. 电机控制和驱动电路。
4. 信号电平转换。
5. 各种便携式电子设备中的保护电路。
6. 数据通信接口中的开关功能。
由于其小尺寸和高效能，该 MOSFET 在消费类电子产品、工业控制以及汽车电子领域都有广泛应用。
2N7002K, BSS138, PMV20EN
