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2N7002DW 发布时间 时间:2025/4/29 18:20:34 查看 阅读:6

2N7002DW 是一款 N 沣道艼沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)。它广泛应用于模拟和数字电路中,主要用于开关和放大功能。该器件具有低栅极电荷、快速开关速度和高可靠性等特点,适用于多种电源管理应用和信号处理场景。
  2N7002DW 的设计使其能够承受较高的漏源电压,并且具备较小的导通电阻,在低功率应用中表现出色。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  最大漏电流:300mA
  最大功耗:400mW
  导通电阻:1.8Ω(典型值)
  栅极电荷:9nC
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

2N7002DW 具有以下主要特点:
  1. 高输入阻抗,减少驱动电路的负载。
  2. 快速开关能力,适合高频应用。
  3. 热稳定性良好,能够在较宽的温度范围内可靠运行。
  4. 小封装尺寸,便于在紧凑型设计中使用。
  5. 良好的电气性能,包括较低的导通电阻和栅极电荷,从而提高效率并降低功耗。
  6. 它还具备 ESD 保护设计,增加了器件的耐用性和可靠性。

应用

2N7002DW 可用于以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的开关元件。
  2. 电池供电设备中的负载开关。
  3. 电机控制和驱动电路。
  4. 信号电平转换。
  5. 各种便携式电子设备中的保护电路。
  6. 数据通信接口中的开关功能。
  由于其小尺寸和高效能,该 MOSFET 在消费类电子产品、工业控制以及汽车电子领域都有广泛应用。

替代型号

2N7002K, BSS138, PMV20EN

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2N7002DW参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C115mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.5 欧姆 @ 50mA,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds50pF @ 25V
  • 功率 - 最大200mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装SC-70-6
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称2N7002DWTR