2N7002DW 是一款 N 沣道艼沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)。它广泛应用于模拟和数字电路中,主要用于开关和放大功能。该器件具有低栅极电荷、快速开关速度和高可靠性等特点,适用于多种电源管理应用和信号处理场景。
2N7002DW 的设计使其能够承受较高的漏源电压,并且具备较小的导通电阻,在低功率应用中表现出色。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
最大漏电流:300mA
最大功耗:400mW
导通电阻:1.8Ω(典型值)
栅极电荷:9nC
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
2N7002DW 具有以下主要特点:
1. 高输入阻抗,减少驱动电路的负载。
2. 快速开关能力,适合高频应用。
3. 热稳定性良好,能够在较宽的温度范围内可靠运行。
4. 小封装尺寸,便于在紧凑型设计中使用。
5. 良好的电气性能,包括较低的导通电阻和栅极电荷,从而提高效率并降低功耗。
6. 它还具备 ESD 保护设计,增加了器件的耐用性和可靠性。
2N7002DW 可用于以下应用场景:
1. 开关电源(SMPS)中的开关元件。
2. 电池供电设备中的负载开关。
3. 电机控制和驱动电路。
4. 信号电平转换。
5. 各种便携式电子设备中的保护电路。
6. 数据通信接口中的开关功能。
由于其小尺寸和高效能,该 MOSFET 在消费类电子产品、工业控制以及汽车电子领域都有广泛应用。
2N7002K, BSS138, PMV20EN