类型：光耦合器
　　输入侧LED类型：GaAs红外发光二极管
　　输出侧晶体管类型：NPN光敏晶体管
　　最大正向电流（IF）：50mA
　　最大反向电压（VR）：5V
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大功耗（PD）：150mW
　　工作温度范围：-55℃ ~ +100℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +125℃
　　绝缘电压：5000Vrms
　　封装形式：4引脚DIP（双列直插式封装）

EL817(B)/(C)/(D)系列光耦合器具有良好的电气隔离性能，能够有效防止输入和输出电路之间的干扰。其核心区别在于不同型号的电流传输比（CTR）：EL817B的CTR范围为50%~600%，EL817C为200%~400%，EL817D为100%~800%。这使得用户可以根据具体应用需求选择合适的型号。该系列器件采用高可靠性的GaAs红外LED和硅光敏晶体管，具有较长的使用寿命和稳定性。其4引脚DIP封装形式便于PCB布局和焊接，广泛适用于各种工业和消费类电子产品。此外，EL817系列具有良好的抗干扰能力和环境适应性，在高温和潮湿环境下仍能稳定工作。
　　在电气特性方面，EL817系列的最大正向电流为50mA，集电极-发射极电压最大为30V，确保了其在多种电压等级下的稳定运行。该器件的响应时间较快，适用于中低速信号隔离应用。此外，其高绝缘电压（5000Vrms）使其适用于对电气安全要求较高的场合，如医疗设备和工业自动化系统。

EL817系列光耦合器广泛应用于多个领域，包括开关电源中的反馈控制电路、PLC（可编程逻辑控制器）中的信号隔离、电机驱动电路、变频器、继电器控制、LED显示屏驱动电路、通信设备中的电平转换以及家用电器中的控制电路等。由于其具备良好的电气隔离性能和稳定的传输特性，EL817系列在需要隔离高压和低压电路、抑制电磁干扰（EMI）和提高系统安全性的场合中被广泛采用。

PC817、TLP521、LTV-817、HCNR200