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SI9407DY-T1-E3 发布时间 时间:2025/6/5 21:56:44 查看 阅读:25

SI9407DY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用了 TrenchFET? 第三代技术,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种高效能电源管理应用。其封装形式为 ThinSOT?-25(SC-89A),体积小巧,非常适合空间受限的设计。
  该 MOSFET 专为需要低导通损耗和快速切换的场景设计,能够有效减少功率损耗并提升系统效率。它在消费电子、通信设备以及工业应用中得到了广泛应用。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:1.8A
  导通电阻(典型值):25mΩ
  栅极电荷(典型值):6nC
  总电容:120pF
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:ThinSOT?-25(SC-89A)

特性

SI9407DY-T1-E3 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(RDS(on)),有助于降低传导损耗,提高整体效率。
  2. 高速开关能力,得益于其低栅极电荷和输出电容,使其非常适合高频开关应用。
  3. 小巧的 ThinSOT?-25 封装,节省 PCB 空间,便于紧凑型设计。
  4. 符合 RoHS 标准,环保且无铅。
  5. 出色的热稳定性,能够在宽温度范围内可靠运行。
  6. 支持高效的 DC/DC 转换器、负载开关以及其他低电压应用。

应用

SI9407DY-T1-E3 广泛应用于以下领域:
  1. 移动设备中的负载开关和电池保护电路。
  2. 便携式电子产品的 DC/DC 转换器。
  3. 开关电源(SMPS)和电机驱动电路。
  4. 固态继电器和信号切换。
  5. 工业自动化设备中的电源管理和控制电路。
  6. 通信基础设施中的高效电源解决方案。

替代型号

SI9408DY, SI9409DY, SI9410DY

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