时间：2025/6/5 21:56:44
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SI9407DY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用了 TrenchFET? 第三代技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高效能电源管理应用。其封装形式为 ThinSOT?-25（SC-89A），体积小巧，非常适合空间受限的设计。
该 MOSFET 专为需要低导通损耗和快速切换的场景设计，能够有效减少功率损耗并提升系统效率。它在消费电子、通信设备以及工业应用中得到了广泛应用。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：1.8A
导通电阻（典型值）：25mΩ
栅极电荷（典型值）：6nC
总电容：120pF
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：ThinSOT?-25（SC-89A）
SI9407DY-T1-E3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），有助于降低传导损耗，提高整体效率。
2. 高速开关能力，得益于其低栅极电荷和输出电容，使其非常适合高频开关应用。
3. 小巧的 ThinSOT?-25 封装，节省 PCB 空间，便于紧凑型设计。
4. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
5. 出色的热稳定性，能够在宽温度范围内可靠运行。
6. 支持高效的 DC/DC 转换器、负载开关以及其他低电压应用。
SI9407DY-T1-E3 广泛应用于以下领域：
1. 移动设备中的负载开关和电池保护电路。
2. 便携式电子产品的 DC/DC 转换器。
3. 开关电源（SMPS）和电机驱动电路。
4. 固态继电器和信号切换。
5. 工业自动化设备中的电源管理和控制电路。
6. 通信基础设施中的高效电源解决方案。
SI9408DY, SI9409DY, SI9410DY
