SI9407DY-T1-E3 时间：2025/6/5 21:56:44 阅读：10

SI9407DY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用了 TrenchFET? 第三代技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高效能电源管理应用。其封装形式为 ThinSOT?-25（SC-89A），体积小巧，非常适合空间受限的设计。
　　该 MOSFET 专为需要低导通损耗和快速切换的场景设计，能够有效减少功率损耗并提升系统效率。它在消费电子、通信设备以及工业应用中得到了广泛应用。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：1.8A
　　导通电阻（典型值）：25mΩ
　　栅极电荷（典型值）：6nC
　　总电容：120pF
　　工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装形式：ThinSOT?-25（SC-89A）

特性

SI9407DY-T1-E3 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻（RDS(on)），有助于降低传导损耗，提高整体效率。
　　2. 高速开关能力，得益于其低栅极电荷和输出电容，使其非常适合高频开关应用。
　　3. 小巧的 ThinSOT?-25 封装，节省 PCB 空间，便于紧凑型设计。
　　4. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
　　5. 出色的热稳定性，能够在宽温度范围内可靠运行。
　　6. 支持高效的 DC/DC 转换器、负载开关以及其他低电压应用。

应用

SI9407DY-T1-E3 广泛应用于以下领域：
　　1. 移动设备中的负载开关和电池保护电路。
　　2. 便携式电子产品的 DC/DC 转换器。
　　3. 开关电源（SMPS）和电机驱动电路。
　　4. 固态继电器和信号切换。
　　5. 工业自动化设备中的电源管理和控制电路。
　　6. 通信基础设施中的高效电源解决方案。