时间：2025/7/30 17:15:28
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2N6788EB 是一款广泛应用于功率控制和开关电路中的N沟道增强型功率MOSFET。这款晶体管设计用于高电压和高电流的应用场景，具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性的特点，使其成为工业控制、电源管理和电机驱动等领域中的常用元件。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流：5A
最大漏源电压：500V
最大栅源电压：±30V
导通电阻（Rds(on)）：典型值为1.5Ω
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装类型：TO-220
2N6788EB 的主要特性包括其高耐压能力，使其能够承受高达500V的漏源电压，适用于高电压开关和功率控制电路。此外，其低导通电阻不仅降低了导通状态下的功耗，还提高了整体效率，这对于长时间运行的设备尤为重要。
该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高温环境下保持性能稳定，减少了对额外散热措施的需求，从而降低了设计复杂性和成本。其±30V的栅源电压容限确保了在不同工作条件下的可靠性，同时防止了因过压引起的损坏。
2N6788EB 还具备快速开关特性，能够实现高效的高频操作，这对于需要快速响应的电源管理和开关应用至关重要。其TO-220封装形式不仅便于安装和散热，还适用于多种电路板布局。
2N6788EB 通常用于需要高电压和中等电流控制的电路中。其典型应用包括电源开关、电机控制、照明系统以及各种工业自动化设备中的功率管理模块。此外，它还常用于逆变器、UPS系统以及DC-AC转换器等应用中，为这些设备提供可靠的功率控制解决方案。
IRF740、2N6787、BUZ100、STP5NK50Z、FQA5N50C
