BSP316PH6327是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,属于宽带隙半导体器件。该产品由Bosch公司设计和制造,广泛应用于高频、高效率的电源转换领域。它具有极低的导通电阻和快速开关性能,适用于车载充电器、DC-DC转换器以及工业电源等场景。
BSP316PH6327采用增强型场效应晶体管(e-mode HEMT)结构,能够显著降低功率损耗并提高系统效率。此外,其紧凑的封装形式使其非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:16A
导通电阻:16mΩ
栅极电荷:90nC
反向恢复时间:无(因GaN特性)
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247-3L
1. 高击穿电压能力,确保在高压环境下的稳定性。
2. 极低的导通电阻(Rds(on)),有效减少传导损耗。
3. 快速开关速度,支持MHz级别的开关频率操作。
4. 内置零反向恢复电荷特性,进一步降低开关损耗。
5. 宽广的工作温度范围,适应各种恶劣环境。
6. 符合AEC-Q101标准,满足汽车级应用需求。
7. 小型化设计,有助于实现更高功率密度的解决方案。
BSP316PH6327适用于多种高效率电力电子设备,包括但不限于以下领域:
1. 车载充电器(OBC):
- 实现高效能量转换,满足电动车快充需求。
2. DC-DC转换器:
- 在新能源汽车中用于电池管理系统的电压调节。
3. 工业逆变器:
- 提供高效的功率控制以优化能源使用。
4. 服务器电源:
- 支持数据中心所需的高密度、高性能供电方案。
5. 光伏微型逆变器:
- 增强太阳能发电系统的转换效率。
BSP25T-065P, BSP316N65S6