FMH23N60E 时间：2025/8/9 15:50:04 阅读：33

FMH23N60E是一款由富士电机（Fuji Electric）生产的高功率N沟道MOSFET，适用于高电压和高电流应用。该器件采用先进的平面硅栅工艺制造，具备优异的开关性能和导通损耗特性，适用于电源管理、工业电机控制和电力转换系统等场合。FMH23N60E的封装形式为TO-247，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：600V
　　最大漏极电流（ID）：23A
　　导通电阻（RDS(ON)）：约0.25Ω（典型值）
　　最大功率耗散（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-247

特性

FMH23N60E具有出色的导通和开关性能，适用于高效率的功率转换系统。
　　其低导通电阻（RDS(ON)）可降低功率损耗，提高系统效率。
　　器件设计采用了先进的硅栅工艺，提供更高的可靠性和热稳定性。
　　TO-247封装形式具备良好的散热性能，适合高功率应用。
　　内置快速恢复二极管，提高了在高频开关环境下的性能表现。
　　该MOSFET具备较高的抗雪崩能力和抗过载能力，确保在恶劣工作条件下的稳定性。
　　适用于高电压应用，如交流电机驱动器、DC-DC转换器、UPS系统和电源供应器。

应用

该器件广泛用于工业电源、高频电源转换器、电机驱动器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及各种高功率电子设备中。
　　由于其高耐压和低导通损耗的特性，FMH23N60E也常用于消费类电源适配器和LED照明电源系统。
　　在工业自动化领域，该MOSFET用于控制大功率负载，如变频器和伺服驱动器。
　　同时，它也被应用于电动汽车充电设备和储能系统的功率转换模块中。