时间：2025/5/10 18:32:29
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STF15NM65N是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-247封装，适用于高电压和大电流应用场合。它具有低导通电阻、快速开关速度和高击穿电压的特点，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等电力电子领域。
STF15NM65N的典型应用场景包括工业设备中的功率转换电路、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及各种需要高效能功率管理的系统。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：15A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：95nC
开关速度：快速
封装类型：TO-247
STF15NM65N具备以下显著特点：
1. 高击穿电压，能够承受高达650V的漏源电压，确保在高压环境下的稳定运行。
2. 低导通电阻，在10V栅源电压下仅为0.18Ω，从而减少导通损耗并提高效率。
3. 快速开关性能，通过优化设计降低了栅极电荷和开关损耗，适合高频应用。
4. 良好的热性能，结合TO-247封装形式，有助于将热量有效散发，提升长期可靠性。
5. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
这款MOSFET主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器和充电器。
2. 工业电机驱动控制，例如伺服驱动器和步进电机控制器。
3. 不间断电源（UPS）和备用电源系统。
4. 太阳能微逆变器及分布式发电系统。
5. 各类工业自动化设备中的功率管理单元。
STF17NM65N, IRFP260N, FQA15N65S
