时间：2025/5/21 12:56:40
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IPG20N04S4L-07 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特性。该器件适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和其他功率管理应用。其额定电压为 40V，最大持续漏极电流为 20A，能够满足高效能功率转换的需求。
该型号中的“IPG”表示英飞凌（Infineon）的高性能沟槽型 MOSFET 系列，“20”代表其连续漏极电流能力为 20A，“N”表示 N 沟道类型，“04”表示其额定电压为 40V，“S4L”则表示其封装形式及内部结构特点。
最大漏源电压：40V
最大漏极电流：20A
栅源开启电压：2.1V 至 4V
导通电阻（典型值）：3.5mΩ
总栅极电荷：38nC
输入电容：3900pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
IPG20N04S4L-07 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高速开关性能，适合高频应用。
3. 低栅极电荷 (Qg)，减少了驱动功耗。
4. 增强的热稳定性，在高温环境下仍能保持良好性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保设计。
6. 可靠性高，抗静电能力强 (HBM > 2kV)。
7. 小型化封装，节省 PCB 空间。
这些特性使得该器件非常适合用于紧凑型设计和高效率需求的应用场景。
IPG20N04S4L-07 的典型应用领域包括：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流和主开关。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 电池管理系统中的负载切换。
5. 工业自动化设备中的功率控制。
6. 通信设备中的功率管理模块。
由于其低导通电阻和高速开关特性，这款 MOSFET 在需要高效能量转换和快速动态响应的应用中表现出色。
IPB200N04S4L-07, IRFZ44N, FDP18N04L
