时间：2025/7/26 2:35:24
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2N6768T1 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET晶体管。该器件设计用于高电流、高电压的开关应用，具有低导通电阻和高速开关性能。2N6768T1 通常用于DC-DC转换器、电源管理、马达控制和电池供电设备等电力电子系统中。该器件采用TO-220AB封装，适合通孔安装，具备良好的散热性能。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：200 V
栅源电压（VGS）：±30 V
连续漏极电流（ID）：10 A
功耗（PD）：40 W
导通电阻（RDS(on)）：0.65 Ω（最大）
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220AB
2N6768T1 MOSFET 具有多个重要的电气和物理特性，适用于广泛的功率电子应用。其N沟道结构提供了高效的电流控制能力，适合用于高电压和中等电流的开关应用。
该器件的最大漏源电压为200V，使其适用于需要较高电压操作的电路，例如工业电源和电机控制电路。栅源电压容限为±30V，确保在多种驱动条件下都能保持稳定的工作状态，同时避免栅极氧化层的损坏风险。
2N6768T1 的最大连续漏极电流为10A，能够支持较高功率负载的控制。其导通电阻RDS(on)最大为0.65Ω，这意味着在导通状态下器件的功率损耗较低，从而提高整体系统的效率并减少散热需求。
该MOSFET的最大功耗为40W，适合在TO-220封装下进行有效的散热管理。工作温度范围为-55°C至+150°C，使其能够在较为恶劣的环境条件下稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用。
此外，2N6768T1 的封装形式为TO-220AB，具有良好的机械稳定性和热传导性能，易于安装在散热片上，提高系统的长期可靠性。
2N6768T1 MOSFET 主要用于需要中高功率开关控制的应用场景。其高电压和中等电流特性使其非常适合用于DC-DC转换器，如升压（Boost）和降压（Buck）变换器，以实现高效的电源转换。
该器件也广泛应用于电源管理系统，例如不间断电源（UPS）、开关电源（SMPS）和电池充电器，能够在高电压条件下实现高效的能量管理。
此外，2N6768T1 还可用于马达驱动控制电路，如直流马达调速和电动工具中的功率开关，其快速开关特性和低导通电阻有助于减少能量损耗并提高系统响应速度。
由于其良好的温度稳定性和可靠性，该MOSFET也适合用于汽车电子系统，如车载充电器、照明控制系统和电动助力转向系统（EPS）中的功率开关元件。
其他应用包括工业自动化控制、电源管理模块、太阳能逆变器以及各种电池供电设备中的功率开关电路。
STP10NM60ND, FQP10N20C, IRFZ44N, 2N6764
