类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　漏极电流（Id）：16A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.38Ω
　　栅极电荷（Qg）：32nC
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装：TO-247

FMB16N60E的导通电阻非常低，仅为0.38Ω，这使得在高电流应用中可以显著降低功耗，提高系统效率。同时，该器件的最大漏源电压达到600V，具备良好的电压耐受能力，适用于高电压工作环境。此外，FMB16N60E的栅极电荷仅为32nC，使其具备快速开关能力，从而减少开关损耗，提高系统的响应速度和效率。
　　该MOSFET的封装形式为TO-247，具有良好的散热性能，能够承受较高的功率密度。FMB16N60E的工作温度范围较宽，可在-55°C至150°C之间稳定工作，适用于严苛的工作环境。这种MOSFET还具备良好的短路耐受能力和热稳定性，确保在异常工作条件下的可靠性。
　　FMB16N60E的设计采用了先进的制造工艺，确保其在高温和高电流条件下的长期稳定性。这使其成为工业自动化、电机驱动、电源转换等领域的理想选择。此外，该器件的结构设计优化了电磁干扰（EMI）性能，有助于降低系统中的噪声干扰，提升整体性能。

FMB16N60E广泛应用于工业控制设备、电机驱动器、开关电源、逆变器以及UPS（不间断电源）系统。由于其高电压和高电流特性，该器件也常用于电动汽车充电设备、光伏逆变器和储能系统等新能源领域。此外，FMB16N60E还可用于高频电源转换器和LED照明驱动电路，提供高效、可靠的功率控制解决方案。

FMB16N60E的替代型号包括FMB16N60C、FQA16N60C和FGA16N60。