2N6763 时间：2025/9/4 0:26:42 阅读：9

2N6763 是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率开关应用中。该器件采用TO-220封装，具有高耐压、低导通电阻和快速开关速度的特性。2N6763 特别适用于需要高效能和高可靠性的开关电源、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：9A
　　最大漏源电压（VDS）：250V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值0.45Ω（最大0.6Ω）
　　功率耗散（PD）：40W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220

特性

2N6763 具备多项优良特性，使其适用于多种功率电子应用。其主要特性包括：
　　1. 高耐压能力：漏源极之间最大电压可达250V，适用于中高电压系统设计；
　　2. 低导通电阻：典型值为0.45Ω，有助于降低导通损耗，提高整体系统效率；
　　3. 快速开关性能：MOSFET结构本身具有快速开启和关闭的能力，适用于高频开关应用；
　　4. 热稳定性好：TO-220封装具备良好的散热性能，能够在较高功率下稳定工作；
　　5. 高可靠性：适用于工业级温度范围（-55°C至+150°C），确保在恶劣环境中稳定运行；
　　6. 栅极驱动简单：±20V栅源电压范围内工作，兼容常见的MOSFET驱动电路。

应用

2N6763 主要应用于需要高效功率控制的电子系统中。常见应用包括：
　　1. 开关电源（SMPS）：用于AC-DC和DC-DC转换器中的功率开关元件；
　　2. 电机控制：作为H桥或单向电机驱动的开关元件；
　　3. 负载开关：用于电源管理电路中控制负载的通断；
　　4. 照明控制：如LED驱动电路或调光系统；
　　5. 电池管理系统：用于充放电控制和电池保护电路；
　　6. 工业自动化设备：用于PLC、继电器替代和自动控制电路中。