类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：30A
　　功耗（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　存储温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220

2N6314 的主要特性之一是其高耐压能力，漏源电压可达到100V，这使得它非常适合用于高电压电源转换和管理应用。此外，该器件具有较高的连续漏极电流容量，可达30A，使其能够承受较大的负载电流，适用于电机驱动、电源开关等高功率场景。2N6314 还具有较低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的效率。
　　另一个重要特性是其较高的栅源电压容限，为±20V，这提供了更大的设计灵活性，同时也提高了器件在复杂电路环境中的稳定性。该MOSFET的TO-220封装设计不仅便于安装，而且具有良好的热性能，有助于热量的快速散发，从而确保器件在高负载条件下仍能稳定工作。此外，2N6314 具有较高的可靠性，能够在-55°C至175°C的工作温度范围内正常运行，适用于各种严苛环境下的电子设备。

2N6314 MOSFET 广泛应用于多种电子设备和系统中，特别是在需要高效能功率控制的场景中。例如，它常用于开关电源（SMPS）中作为主开关器件，以实现高效的电能转换。此外，该器件也适用于直流-直流转换器、电机控制电路、电池充电管理系统以及各种类型的功率放大器。在工业自动化设备中，2N6314 可用于驱动继电器、电磁阀和电机等高功率负载。
　　由于其高可靠性和良好的热性能，2N6314 也广泛用于汽车电子系统中，如车载充电器、电动助力转向系统和车身控制模块等。在消费类电子产品中，该MOSFET可用于电源适配器、LED照明驱动电路以及智能家电的功率控制模块。同时，它也适用于太阳能逆变器和储能系统中的功率转换电路，为可再生能源应用提供高效的解决方案。

IRFZ44N, FQP30N06L, STP30NF10, IRLZ44N