GA1206Y822KBCBR31G 是一款高性能的陶瓷电容器,适用于高频滤波、谐振电路以及射频应用。该型号采用多层陶瓷工艺制造,具有低ESL(等效串联电感)和低ESR(等效串联电阻),能够提供优异的频率响应特性。其结构紧凑,适合高密度电路板设计,同时具备出色的温度稳定性和耐久性。
容量:22pF
额定电压:50V
公差:±5%
封装形式:0402 (英制) / 1005 (公制)
介质材料:C0G (NP0)
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
频率特性:支持高达GHz级别的高频应用
该电容器采用了C0G介质材料,确保了极佳的温度稳定性,容量漂移小,在-55℃到+125℃范围内变化不超过±30ppm/℃。
其小型化设计非常适合用于便携式设备中的射频前端模块。
低ESR和ESL特性使其在高频条件下表现出卓越的性能,尤其适合于无线通信、雷达系统以及其他对信号完整性要求较高的领域。
此外,该产品符合RoHS标准,环保无铅,并具有高可靠性,满足工业级和汽车级应用需求。
GA1206Y822KBCBR31G 广泛应用于各类电子设备中,包括但不限于:
- 射频滤波器与匹配网络
- 高速数据传输链路
- 振荡器及谐振电路
- 医疗设备中的信号处理单元
- 航空航天及军事领域的高频通信设备
- 手机和其他便携式消费类电子产品
由于其稳定的电气特性和微型尺寸,该器件特别适合空间受限但性能要求高的场景。
KEMET C0G-22P0-50V-X7R-0402, TDK C3216X5R0J222M, AVX 04025C220GAT2A