时间：2025/7/2 11:21:55
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2N60G-TN3-R是一种高频、高增益的硅双极结型晶体管（BJT），广泛应用于射频（RF）和高频放大电路中。它具有较高的电流增益带宽积（fT），能够在高频环境下保持良好的增益特性，适用于无线通信、射频模块、混频器以及其他高频信号处理场景。
该晶体管采用TO-18封装形式，引脚布局紧凑，适合小型化设计需求。由于其出色的性能，2N60G-TN3-R在业余无线电设备、测试仪器以及高性能音频放大器等领域也有广泛应用。
集电极-发射极电压（Vce）：40V
集电极电流（Ic）：0.2A
直流电流增益（hFE）：最小值70，最大值350
特征频率（fT）：150MHz
总耗散功率（Ptot）：350mW
存储温度范围：-55℃至150℃
工作温度范围：-55℃至150℃
2N60G-TN3-R以其卓越的高频性能著称，能够实现高达150MHz的特征频率（fT），这使得它非常适合射频应用中的信号放大与调制任务。
此外，该晶体管具备较宽的工作温度范围（-55℃至150℃），可以在恶劣环境下稳定运行，同时其电流增益（hFE）范围为70至350，确保了足够的增益灵活性。
它的TO-18封装不仅结构坚固，而且散热性能良好，有助于提升整体可靠性。另外，低噪声特性和线性表现使其成为高频通信及精密信号处理的理想选择。
2N60G-TN3-R主要应用于以下领域：
1. 射频放大器和混频器电路
2. 高频振荡器
3. 无线通信模块
4. 调制解调器和信号处理器
5. 业余无线电设备
6. 高速开关电路
7. 测试与测量仪器中的高频信号路径
8. 精密音频放大器中的前置放大级
2N60G, 2N3904, BFY51
