时间：2025/9/14 3:11:59
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PMDPB85UPE,115是一款由NXP Semiconductors生产的高性能、低功耗的射频功率晶体管，专为无线基础设施应用设计。该器件基于先进的LDMOS技术，能够在高频率下提供出色的效率和输出功率。PMDPB85UPE,115广泛应用于基站、通信设备和其他需要高线性度和稳定性的射频系统中。
类型: 射频功率晶体管
制造商: NXP Semiconductors
工艺技术: LDMOS
最大漏极电流: 100mA（典型值）
最大工作电压: 65V
工作频率范围: 高频（HF）至超高频（UHF）
封装类型: 塑料封装
热阻: 2.5°C/W（结到外壳）
工作温度范围: -40°C至+150°C
输出功率: 典型值85W
增益: 18dB（典型值）
效率: 65%以上
线性度: 高线性度支持多载波应用
PMDPB85UPE,115具备多项优异的电气和热性能，确保其在高强度工作环境下依然保持稳定。其LDMOS工艺技术提供了卓越的功率密度和效率，同时保持较低的热阻，使得器件能够在高输出功率下长时间运行而不出现性能下降。此外，该晶体管具有良好的线性度表现，适用于需要高信号完整性的多载波通信系统。其封装设计优化了散热性能，有助于减少外部散热器的尺寸或在某些情况下完全省去散热器，从而降低整体系统成本。该器件还具有高抗失真能力，能够在复杂的调制方案中保持低误码率。
PMDPB85UPE,115主要应用于无线通信基础设施，如4G/5G基站、微波通信系统、广播发射机和其他需要高功率射频放大的设备。由于其优异的线性度和稳定性，它也适用于多载波通信系统和数字预失真（DPD）技术的应用。此外，该晶体管还可用于工业和测试设备中的射频功率放大模块。
PMDP85HPE,115 / PMD1000HS,115
