类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100mA
　　最大漏极-源极电压（VDS）：30V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约20Ω
　　增益带宽积（GBW）：约100MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-92

2N5528具有多项显著的电气和物理特性，使其在电子电路中表现出色。首先，其N沟道增强型结构确保了在零栅极电压下器件处于关闭状态，只有在施加正栅极电压时才会导通，这种特性有助于降低静态功耗并提高电路的能效。其次，2N5528的最大漏极电流为100mA，漏极-源极耐压为30V，使其能够承受一定的负载压力，适用于中低功率的开关和放大应用。
　　此外，该MOSFET的导通电阻约为20Ω，在同类器件中表现优异，有助于降低导通状态下的功率损耗并提高整体效率。其栅极-源极电压范围为±20V，允许使用较宽的控制电压范围，增强了设计的灵活性。2N5528还具备较高的频率响应能力，增益带宽积约为100MHz，适用于高频放大器和射频电路。
　　在封装方面，2N5528采用标准的TO-92封装，体积小巧，便于在印刷电路板（PCB）上安装和布局。该封装形式也有助于良好的散热性能，确保在连续工作条件下保持稳定。2N5528的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种工业和消费类电子设备。

2N5528广泛应用于多个电子领域。在模拟电路中，它常用于构建高频放大器、射频放大器以及信号调节电路。由于其高频率响应和较低的导通电阻，2N5528特别适合用于射频前端模块中的信号放大和调制解调电路。在数字电路中，该MOSFET可作为开关元件用于逻辑控制、驱动LED或小型继电器等。
　　此外，2N5528也常用于电源管理电路，如DC-DC转换器、稳压电路和负载开关。由于其低静态功耗和快速开关特性，该器件在节能型电源系统中表现出色。在工业控制领域，2N5528可用于构建传感器接口电路、电机驱动电路以及自动化控制系统中的信号处理模块。
　　在消费类电子产品中，2N5528被广泛应用于音频放大器、充电管理电路、电池保护电路以及各类便携式设备中的功率控制模块。其小尺寸封装和良好的电气性能使其成为许多嵌入式系统和便携设备的理想选择。

2N5529, 2N5527, BF245C, J309