类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：4A
　　最大导通电阻（Rds(on)）：0.55Ω（典型值）
　　功耗（Pd）：40W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220、TO-202

2N5526 的主要特性之一是其良好的导通性能和较高的耐压能力。该器件的漏源电压最大可达100V，使其适用于中高电压应用场景，如开关电源、DC-DC转换器和负载开关控制。其导通电阻典型值为0.55Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，2N5526具备良好的热稳定性和较高的功耗承受能力（最大40W），能够在较高温度环境下稳定工作。
　　这款MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持+10V至+15V驱动，适用于多种控制电路设计。其栅源电压极限为±20V，提供了较好的过压保护能力，避免因电压波动而导致器件损坏。此外，2N5526采用标准TO-220或TO-202封装，便于散热和安装，适用于多种电路板布局设计。
　　在实际应用中，2N5526具有较快的开关速度和较低的输入电容，有助于提高电路响应速度并降低开关损耗。其结构设计优化了导通和关断特性，适用于PWM（脉宽调制）控制等高频应用。由于其性能稳定、封装通用，2N5526在工业控制、家电、汽车电子和电源模块中得到了广泛应用。

2N5526 主要应用于中高功率的开关控制电路中。典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、LED照明驱动电路以及各类负载开关控制。在工业自动化控制设备中，它常用于继电器替代方案，以提高开关速度和可靠性。此外，2N5526也可用于逆变器、UPS不间断电源、太阳能控制器等功率电子设备中。
　　在汽车电子方面，2N5526可用于车载电源管理、电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）等应用。由于其具备良好的热稳定性和较高的耐压能力，因此在高可靠性要求的环境中表现良好。在消费电子产品中，该器件常用于电源适配器、智能电表、智能家电控制模块等电路设计中。

IRFZ44N, FQP4N60, 2N6782, STP4NK60Z