封装/外壳：1206 (3216公制)
　　电容值：2.2nF (222)
　　容差：±10%
　　额定电压：50V DC
　　温度特性：X7R (或类似)
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　介质材料：陶瓷（钡钛酸盐基）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　高度（最大）：约1.25mm
　　老化率：典型为<2.5% / decade hour
　　直流偏压效应：存在（随电压升高电容下降）
　　电容稳定性：±15% over temperature range

1206B222K500CT所采用的X7R介电材料是一种铁电型陶瓷，具有较高的介电常数，使得在有限的物理尺寸内实现较大的电容值成为可能。这种材料在-55°C到+125°C的温度区间内能保证电容值的变化控制在±15%以内，相较于Z5U或Y5V等低稳定性介质已有显著改善，因此适用于对温度稳定性有一定要求但无需极高精度的应用场合。X7R电容的一个关键特点是其电容值会随着施加的直流偏置电压增加而明显下降——例如，在接近额定50V电压时，实际可用电容可能仅为标称值的60%~70%，因此在设计电源去耦网络时必须参考制造商提供的直流偏压曲线进行降额评估。
　　该器件的结构为多层叠层设计，由交替的内电极和陶瓷层构成，这种构造有效降低了等效串联电感（ESL），提升了高频响应能力，使其在几十MHz范围内仍具备良好的去耦效果。同时，其等效串联电阻（ESR）较低，有助于减少功率损耗和发热，提高系统效率。1206封装尺寸（约3.2mm x 1.6mm）在空间利用率和焊接可靠性之间取得良好平衡，既适合自动化贴片生产，又能承受一定的热应力和机械应力。然而，由于陶瓷材料本身的脆性，若PCB发生弯曲或受到冲击，容易产生微裂纹，进而导致短路或漏电流增大等问题，建议在布局时远离应力集中区域，并采用适当的PCB支撑措施。
　　该电容不具压电效应敏感性，但在某些音频或振动环境下仍需注意潜在的微音效应（microphonics）。此外，它不具备自恢复特性，一旦因过压、反向电压或浪涌电流击穿，通常表现为短路失效模式，可能影响整个电源系统的稳定性。为了确保长期可靠性，建议工作电压不超过额定值的80%，并在高温高湿环境中选用具有良好三防涂层保护的PCB设计。总体而言，该器件以其性价比高、供货稳定、电气性能适中等特点，成为众多中端电子产品中常用的通用型陶瓷电容之一。

1206B222K500CT常用于各类电子设备中的去耦和旁路电路，特别是在集成电路（IC）的电源引脚附近，用于滤除高频噪声并稳定供电电压。在数字系统中，如微控制器、FPGA、DSP和存储器模块，该电容可有效吸收瞬态电流波动，防止电源塌陷引起的误操作或信号失真。此外，它也广泛应用于DC-DC转换器的输入输出滤波环节，配合电感和其他电容组成π型或LC滤波网络，以降低开关噪声并提高电源纹波抑制比（PSRR）。
　　在模拟电路中，该电容可用于中频信号耦合与去耦，例如在运算放大器、ADC/DAC前端电路中作为交流通路的一部分，隔离直流分量的同时传递交流信号。虽然其温度稳定性不如C0G/NP0电容，但在非精密模拟应用中仍可接受。在射频（RF）电路中，该器件可用于阻抗匹配网络或低Q值滤波器设计，尤其适用于ISM频段（如433MHz、915MHz）的小功率无线模块。由于其较小的封装尺寸和良好的高频特性，非常适合高密度PCB布局需求。
　　工业控制设备、汽车电子（非引擎舱）、医疗仪器、消费类电子产品（如智能手机、平板电脑、智能家居设备）以及通信基础设施（如路由器、交换机）中均可见其身影。此外，在LED驱动电源、传感器信号调理电路和电源管理单元中也有广泛应用。考虑到其50V额定电压，特别适合12V或24V系统中的中间总线去耦应用。需要注意的是，在高压瞬变或雷击浪涌风险较高的环境中，应额外添加TVS二极管或共模电感进行保护，以防电容因过压而损坏。