晶体管类型：NPN型双极晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：150V
　　集电极-基极电压（VCBO）：150V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23
　　直流电流增益（hFE）：110（最小值，典型值为200）
　　过渡频率（fT）：100MHz

2N5400RLRA 晶体管具有多项显著特性，适用于广泛的电子应用。首先，它的高集电极-发射极击穿电压（VCEO）达到150V，使其在高压开关应用中表现出色，能够承受较高的电压应力，确保电路的稳定性和可靠性。其次，该晶体管的直流电流增益（hFE）在特定工作条件下可达到200左右，具备良好的放大能力，适用于信号放大和驱动电路。
　　此外，2N5400RLRA 的过渡频率（fT）为100MHz，表明其在高频条件下仍能保持良好的性能，适用于高频开关和放大应用。其SOT-23封装结构紧凑，便于在高密度PCB设计中使用，同时降低了热阻，提高了散热效率。该晶体管还具备较低的饱和压降（VCE(sat)），通常在100mA集电极电流下仅为0.2V至0.3V，有助于减少功耗并提高能效。
　　该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种恶劣环境条件，包括工业控制、汽车电子和通信设备。此外，2N5400RLRA 具备良好的热稳定性和抗静电能力，符合JEDEC标准，确保了其在长期使用中的可靠性和一致性。

2N5400RLRA 晶体管广泛应用于多个领域，涵盖从基础电子设计到高端工业控制的各种场景。其主要用途之一是作为开关晶体管，用于驱动继电器、LED、小型电机和固态继电器等负载。由于其具备较高的VCEO电压，适合在需要承受较高电压的开关电路中使用，如电源控制和逆变器系统。
　　在放大电路中，2N5400RLRA 常用于前置放大器、音频放大器和射频放大器中，利用其高增益和高频响应特性来增强信号强度。此外，该晶体管在数字逻辑电路和缓冲器设计中也发挥重要作用，用于信号整形和电平转换。
　　在工业自动化系统中，2N5400RLRA 可用于PLC（可编程逻辑控制器）的输入/输出模块，实现对执行器和传感器的控制。在消费类电子产品中，如电视、音响设备和家用电器中，该晶体管也广泛用于电源管理和信号处理电路。此外，由于其良好的高频特性，它也被用于无线通信模块和RF前端电路中。

2N3904、BC547、PN2222A、MPS2222、2N4401