时间：2025/6/21 5:49:55
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TESDN051AD82 是一款高性能的 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等电力电子设备中。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提高系统效率并减少功率损耗。
这款 MOSFET 的封装形式为 DPAK（TO-252），适合表面贴装技术（SMT）应用，同时具备出色的热性能和电气性能。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：43A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：39nC
总电容：1150pF
工作温度范围：-55℃ to 150℃
TESDN051AD82 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗。
2. 快速的开关速度，适用于高频开关应用。
3. 高电流承载能力，支持大功率设计。
4. 小型化的 DPAK 封装，节省 PCB 空间。
5. 出色的热稳定性和可靠性，确保在恶劣环境下的正常运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
该 MOSFET 主要用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关。
2. 电机控制和驱动电路中的功率级元件。
3. DC-DC 转换器中的高频开关元件。
4. 电池管理系统（BMS）中的负载切换开关。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子系统中的高可靠性功率开关。
IRFZ44N
FDP5800
STP40NF06L
