RGPSM002WA是一款由Rohm(罗姆)半导体公司生产的N沟道功率MOSFET。该器件专为高效率功率转换应用设计,适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等多种场合。RGPSM002WA采用先进的沟槽式MOSFET技术,提供了优异的导通特性和开关性能,能够有效降低系统损耗并提高整体效率。该器件封装形式为SOP(小外形封装),具备良好的热管理和安装便利性,适用于表面贴装工艺。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):20V
栅源电压(Vgs):±12V
连续漏极电流(Id):6A
导通电阻(Rds(on)):17mΩ(典型值,Vgs=4.5V)
功率耗散(Pd):2W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:SOP-8
RGPSM002WA具备出色的导通性能和低导通电阻,这使其在高电流应用中能够显著降低功率损耗,提高系统效率。其低Rds(on)特性在电池供电设备中尤为关键,有助于延长电池寿命。此外,该MOSFET的快速开关能力减少了开关损耗,从而进一步优化了整体性能。RGPSM002WA还具有良好的热稳定性,能够在高负载条件下保持稳定运行。其SOP-8封装设计不仅节省空间,还便于散热管理,适用于紧凑型电子产品设计。此外,该器件的栅极驱动电压范围较宽,适用于多种控制电路设计,确保了其在不同应用场景中的适用性和灵活性。
RGPSM002WA广泛应用于多种电子设备和系统中,包括但不限于以下领域:
1. 电源管理系统:如DC-DC转换器、稳压器等,用于提高电源转换效率。
2. 电池供电设备:如智能手机、平板电脑、便携式音频设备等,用于延长电池续航时间。
3. 电机驱动电路:用于小型电机的控制,提供高效能的功率切换。
4. 负载开关:用于智能电源管理,实现对不同负载的精确控制。
5. 工业自动化设备:如PLC、传感器模块等,用于提高系统可靠性和响应速度。
Si2302DS, AO3400A, FDS6675, BSS138