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2N3873 发布时间 时间:2025/9/3 13:49:53 查看 阅读:13

2N3873 是一款N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),广泛用于高电流和高功率的应用。这款晶体管设计用于需要高效率和可靠性的应用,如电源开关、马达控制和逆变器电路。2N3873 采用TO-220封装,具备良好的散热性能,适用于各种工业和消费电子设备。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):500V
  栅源电压(Vgs):±30V
  漏极电流(Id):15A
  功率耗散(Pd):150W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  存储温度范围:-65°C至150°C
  封装类型:TO-220

特性

2N3873 具备一系列优异的电气特性和物理特性。首先,其高漏源电压(500V)和高漏极电流(15A)能力使其适用于高功率应用。该器件的栅极驱动电压范围为±30V,提供了良好的驱动灵活性。此外,2N3873 的导通电阻较低,确保在高电流工作时保持较低的功耗和温度上升。
  该MOSFET采用了先进的硅技术,提供了优异的热稳定性和可靠性,能够在恶劣的工作环境中保持稳定的性能。TO-220封装设计确保了良好的散热性能,延长了器件的使用寿命。其快速开关特性也使得它非常适合用于高频开关应用,如开关电源和DC-DC转换器。
  此外,2N3873 具备出色的短路和过载保护能力,能够承受一定的过载电流而不损坏,这使得它在工业控制和电机驱动等应用中表现出色。综合这些特性,2N3873是一款性能稳定、可靠性高的功率MOSFET,适用于多种高功率电子系统。

应用

2N3873 主要应用于高功率电子设备中,包括开关电源、DC-DC转换器、马达控制器、逆变器、充电器和各种工业自动化设备。它也常用于音频放大器的电源部分,以提供高效的电源管理。此外,该器件在太阳能逆变器和电动车控制系统中也有广泛的应用,因为其高电流和高电压能力能够满足这些领域的严格要求。

替代型号

IRF840, FDPF840, STP15N50

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