时间：2025/9/3 13:49:53
阅读：26
2N3873 是一款N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛用于高电流和高功率的应用。这款晶体管设计用于需要高效率和可靠性的应用，如电源开关、马达控制和逆变器电路。2N3873 采用TO-220封装，具备良好的散热性能，适用于各种工业和消费电子设备。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：500V
栅源电压（Vgs）：±30V
漏极电流（Id）：15A
功率耗散（Pd）：150W
工作温度范围：-55°C至150°C
存储温度范围：-65°C至150°C
封装类型：TO-220
2N3873 具备一系列优异的电气特性和物理特性。首先，其高漏源电压（500V）和高漏极电流（15A）能力使其适用于高功率应用。该器件的栅极驱动电压范围为±30V，提供了良好的驱动灵活性。此外，2N3873 的导通电阻较低，确保在高电流工作时保持较低的功耗和温度上升。
该MOSFET采用了先进的硅技术，提供了优异的热稳定性和可靠性，能够在恶劣的工作环境中保持稳定的性能。TO-220封装设计确保了良好的散热性能，延长了器件的使用寿命。其快速开关特性也使得它非常适合用于高频开关应用，如开关电源和DC-DC转换器。
此外，2N3873 具备出色的短路和过载保护能力，能够承受一定的过载电流而不损坏，这使得它在工业控制和电机驱动等应用中表现出色。综合这些特性，2N3873是一款性能稳定、可靠性高的功率MOSFET，适用于多种高功率电子系统。
2N3873 主要应用于高功率电子设备中，包括开关电源、DC-DC转换器、马达控制器、逆变器、充电器和各种工业自动化设备。它也常用于音频放大器的电源部分，以提供高效的电源管理。此外，该器件在太阳能逆变器和电动车控制系统中也有广泛的应用，因为其高电流和高电压能力能够满足这些领域的严格要求。
IRF840, FDPF840, STP15N50
