时间：2025/7/22 11:31:58
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DMN4009LK3-13 是一款由 Diodes 公司生产的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于负载开关、电源管理和电池供电设备中的功率控制应用。该器件采用 SOT26 封装，具有小型化、低导通电阻和高可靠性等优点，适用于便携式电子设备、工业控制系统以及汽车电子等场景。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds)：-30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：-4.1A（@Vgs= -10V）
导通电阻(Rds(on))：45mΩ（@Vgs=-10V）
导通电阻(Rds(on))：60mΩ（@Vgs=-4.5V）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT26
DMN4009LK3-13 采用先进的沟槽技术，具有较低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提高系统效率。其栅极氧化层设计可承受高达 ±20V 的电压，提高了器件在高噪声环境下的稳定性。此外，该 MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行，适用于需要长时间工作的工业和汽车应用。
该器件的 SOT26 小型封装形式，使得其在空间受限的设计中依然能够轻松集成，特别适合便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。其低栅极电荷特性也有助于提高开关速度，降低开关损耗，适用于高频开关应用。
DMN4009LK3-13 还具备良好的抗静电能力，符合 JEDEC 标准中的 ESD 要求，确保在生产、运输和使用过程中不易受到静电损害。此外，该器件无铅且符合 RoHS 指令，支持环保设计。
DMN4009LK3-13 常用于电源管理系统中的负载开关控制，如电池供电设备中的电源隔离、电机驱动、DC-DC 转换器以及 LED 照明驱动电路。由于其低导通电阻和高电流能力，也适用于需要高效能功率控制的工业自动化设备和汽车电子系统，如车载充电器、车身控制模块和车载娱乐系统。
在消费类电子产品中，该器件可广泛用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等设备的电源管理模块中，实现对不同功能模块的独立供电控制，从而提高能效并延长电池续航时间。此外，在通信设备中，该 MOSFET 可用于基站电源管理、光模块供电控制等场合。
Si4435BDY, DMN4015SSS-13, BSS84P
