时间：2025/7/26 2:19:59
阅读：3
2N2920 是一款由美国公司 Fairchild Semiconductor（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高电流、高电压的开关应用，广泛用于电源管理、电机控制、DC-DC 转换器等领域。2N2920 采用 TO-204AA（TO-3）金属封装，具有良好的热稳定性和散热性能，适合在较高功率条件下使用。该MOSFET的栅极驱动电压相对较低，可以在常见的逻辑电平下工作，提高了其在数字控制系统中的适用性。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：8A
功耗（Pd）：75W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-65°C ~ +150°C
导通电阻（Rds(on)）：约0.4Ω（典型值）
输入电容（Ciss）：约1000pF
开启阈值电压（Vgs(th)）：2V ~ 4V
封装形式：TO-204AA（TO-3）
2N2920 的主要特性包括其较高的漏源电压和漏极电流能力，适用于中高功率应用。其低导通电阻有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件具有良好的热稳定性，TO-3封装可提供良好的散热性能，适合长时间运行在高负载条件下。此外，2N2920 的栅极驱动电压范围较宽，允许使用标准逻辑电平（如5V）进行驱动，提高了其在数字控制电路中的兼容性。
这款MOSFET还具备较高的抗雪崩能力，可以在非理想条件下（如电感负载开关时）承受一定的电压尖峰，从而提高系统的可靠性。其输入电容较低，有助于减少开关损耗，提高响应速度，适用于高频开关应用。2N2920 还具有较低的跨导（Transconductance），有助于在不同工作条件下保持稳定的性能。
2N2920 主要应用于需要中高功率开关能力的电路中。常见的应用包括电源管理电路、DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关、逆变器以及电池管理系统等。在电机控制应用中，它可以用作H桥结构中的功率开关元件，实现电机的正反转和调速功能。在电源转换器中，该器件可用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，实现高效的能量转换。此外，2N2920 也广泛用于工业自动化控制系统、汽车电子设备以及不间断电源（UPS）系统中，作为高可靠性开关元件使用。
IRF540, FDPF5N50, STP8NK50Z, 2N6764
