IS61WV25632BLL-10BLI-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片具有256K x 32位的存储容量,适用于需要高性能和低功耗的嵌入式系统应用。这款SRAM采用CMOS工艺制造,具有高速访问时间和低功耗特性,适用于各种工业、通信和消费类电子产品。
类型:静态存储器(SRAM)
容量:256K x 32位
电源电压:2.3V 至 3.6V
访问时间:10纳秒
封装类型:54引脚 TSOP
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
接口类型:并行
最大工作频率:100MHz
数据保持电压:2.0V
封装尺寸:183mil x 200mil
IS61WV25632BLL-10BLI-TR 的主要特性包括高速访问时间、低功耗设计、宽电压工作范围以及工业级温度适应能力。该芯片支持异步操作,具有双向数据总线和独立的片选信号,允许灵活的系统设计。此外,该SRAM具有自动数据保持模式,可在低功耗状态下保持数据完整性,非常适合电池供电设备使用。其TSOP封装形式有助于减小PCB面积,提高系统集成度。芯片还具备高可靠性,经过严格的工业测试,确保在恶劣环境中稳定运行。
IS61WV25632BLL-10BLI-TR 的异步接口设计使其能够轻松连接到各种微处理器和控制器,广泛用于嵌入式系统的缓存、临时数据存储和图形缓冲区等应用。其高速数据访问能力可以显著提升系统性能,同时其低待机电流有助于延长设备的续航时间。由于其高性能和稳定性,这款SRAM常用于通信模块、工业控制设备、汽车电子系统和便携式消费电子产品。
IS61WV25632BLL-10BLI-TR 适用于多种高性能嵌入式系统,包括工业控制设备、通信模块、网络设备、汽车电子系统以及便携式消费电子产品。该芯片常用于需要高速数据缓存、图形缓冲区或临时数据存储的场景。例如,在通信设备中,它可以用作数据包缓存,提高数据传输效率;在工业控制系统中,可用于存储实时数据和程序变量;在图像处理设备中,它可作为帧缓存器,提高图像刷新速度和显示质量。此外,该SRAM也广泛用于FPGA和DSP系统的外部存储扩展。
IS61WV25632BLL-10BLL-TR, CY7C1380D-10BZXC, IDT71V416SA10PFG, IS61WV51232BLL-10BLLI-TR