时间：2025/9/1 15:04:17
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IS61WV25632BLL-10BLI-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片具有256K x 32位的存储容量，适用于需要高性能和低功耗的嵌入式系统应用。这款SRAM采用CMOS工艺制造，具有高速访问时间和低功耗特性，适用于各种工业、通信和消费类电子产品。
类型：静态存储器（SRAM）
容量：256K x 32位
电源电压：2.3V 至 3.6V
访问时间：10纳秒
封装类型：54引脚 TSOP
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
接口类型：并行
最大工作频率：100MHz
数据保持电压：2.0V
封装尺寸：183mil x 200mil
IS61WV25632BLL-10BLI-TR 的主要特性包括高速访问时间、低功耗设计、宽电压工作范围以及工业级温度适应能力。该芯片支持异步操作，具有双向数据总线和独立的片选信号，允许灵活的系统设计。此外，该SRAM具有自动数据保持模式，可在低功耗状态下保持数据完整性，非常适合电池供电设备使用。其TSOP封装形式有助于减小PCB面积，提高系统集成度。芯片还具备高可靠性，经过严格的工业测试，确保在恶劣环境中稳定运行。
IS61WV25632BLL-10BLI-TR 的异步接口设计使其能够轻松连接到各种微处理器和控制器，广泛用于嵌入式系统的缓存、临时数据存储和图形缓冲区等应用。其高速数据访问能力可以显著提升系统性能，同时其低待机电流有助于延长设备的续航时间。由于其高性能和稳定性，这款SRAM常用于通信模块、工业控制设备、汽车电子系统和便携式消费电子产品。
IS61WV25632BLL-10BLI-TR 适用于多种高性能嵌入式系统，包括工业控制设备、通信模块、网络设备、汽车电子系统以及便携式消费电子产品。该芯片常用于需要高速数据缓存、图形缓冲区或临时数据存储的场景。例如，在通信设备中，它可以用作数据包缓存，提高数据传输效率；在工业控制系统中，可用于存储实时数据和程序变量；在图像处理设备中，它可作为帧缓存器，提高图像刷新速度和显示质量。此外，该SRAM也广泛用于FPGA和DSP系统的外部存储扩展。
IS61WV25632BLL-10BLL-TR, CY7C1380D-10BZXC, IDT71V416SA10PFG, IS61WV51232BLL-10BLLI-TR
