类型：PNP型晶体管
　　封装类型：TO-18金属封装
　　最大集电极电流（IC）：50mA
　　最大集电极-发射极电压（VCE）：30V
　　最大集电极-基极电压（VCB）：30V
　　最大功耗（PD）：125mW
　　最大工作温度：-55°C ~ 150°C
　　过渡频率（fT）：100MHz（典型值）
　　电流增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流放大系数（hFE）：40~200（随工作电流变化）

2N219A晶体管以其出色的高频性能著称，适合用于高频信号的放大和处理。其过渡频率（fT）达到100MHz，意味着它在高频环境下仍能保持较好的增益表现，适用于射频和中频放大电路。此外，该晶体管的封装形式为TO-18金属封装，提供了良好的散热性能和机械稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠工作。
　　该晶体管的电流放大系数（hFE）在不同集电极电流下变化较大，典型值范围为40到200。这种特性使得它可以根据具体应用需求选择合适的工作点，从而优化电路性能。同时，2N219A的最大集电极电压为30V，允许在中等电压条件下运行，适用于多种模拟电路设计。
　　由于其高频特性和稳定性，2N219A常用于模拟射频前端电路，例如调幅（AM）和调频（FM）接收机中的信号放大器。此外，它还可以用于振荡器、混频器和检波器等电路中，提供良好的信号处理能力。虽然随着现代集成电路的发展，这类晶体管在主流电子产品中的使用有所减少，但在某些特定领域如复古电子设备修复、实验教学以及一些模拟射频设计中，它仍然具有较高的应用价值。

2N219A广泛应用于射频和中频放大器电路中，尤其是在早期的无线电接收设备中。它常用于AM/FM收音机、电视机的前端信号放大器、射频振荡器、混频器和检波器等电路。此外，该晶体管也用于实验教学中，作为电子工程学生学习晶体管工作原理和高频电路设计的重要元件。
　　在通信设备中，2N219A可用于构建低噪声放大器（LNA），以增强微弱的射频信号。它也常见于业余无线电设备和测试仪器中，提供稳定的高频信号放大能力。由于其良好的高频性能和可靠性，该晶体管在某些工业控制系统和模拟信号处理电路中仍有应用。

2N219A的替代型号包括2N2929、2N219K、BF199、BF200等高频PNP晶体管。这些型号在电气参数和封装形式上与2N219A相似，可根据具体应用需求进行替换。