时间：2025/5/28 19:55:04
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2EZ20D5是一种用于高频信号处理的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode）。该型号广泛应用于射频和微波电路中，具有快速开关特性和低正向压降的特点。它通常被用作检波器、混频器以及开关元件等，在无线通信设备、雷达系统和其他高频电子设备中发挥重要作用。
该二极管的封装形式通常是小型表面贴装器件（SMD），适合自动化生产并能够提供出色的电气性能。
最大正向电流：1.0A
峰值反向电压：20V
正向电压：0.35V（典型值，@If=10mA）
反向恢复时间：小于100ps
结电容：约0.3pF（@Vr=0V，f=1MHz）
工作温度范围：-55℃至+150℃
2EZ20D5具有以下显著特性：
1. 极低的正向压降，有助于减少功率损耗。
2. 超快的反向恢复时间，使其非常适合高频应用。
3. 小型化设计，便于在紧凑型电路板上安装。
4. 高可靠性和稳定性，即使在极端温度条件下也能保持良好性能。
5. 可靠的射频性能，支持高达GHz级别的频率操作。
该二极管主要应用于以下领域：
1. 射频和微波电路中的信号检波与混频。
2. 高速开关电路。
3. 保护电路中的瞬态电压抑制。
4. 无线通信模块及雷达系统的前端设计。
5. 各种便携式电子设备中的高频信号处理单元。
1SS387, MA4E2008T, BAT14-08W
