2EZ20D5是一种用于高频信号处理的肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode)。该型号广泛应用于射频和微波电路中,具有快速开关特性和低正向压降的特点。它通常被用作检波器、混频器以及开关元件等,在无线通信设备、雷达系统和其他高频电子设备中发挥重要作用。
该二极管的封装形式通常是小型表面贴装器件(SMD),适合自动化生产并能够提供出色的电气性能。
最大正向电流:1.0A
峰值反向电压:20V
正向电压:0.35V(典型值,@If=10mA)
反向恢复时间:小于100ps
结电容:约0.3pF(@Vr=0V,f=1MHz)
工作温度范围:-55℃至+150℃
2EZ20D5具有以下显著特性:
1. 极低的正向压降,有助于减少功率损耗。
2. 超快的反向恢复时间,使其非常适合高频应用。
3. 小型化设计,便于在紧凑型电路板上安装。
4. 高可靠性和稳定性,即使在极端温度条件下也能保持良好性能。
5. 可靠的射频性能,支持高达GHz级别的频率操作。
该二极管主要应用于以下领域:
1. 射频和微波电路中的信号检波与混频。
2. 高速开关电路。
3. 保护电路中的瞬态电压抑制。
4. 无线通信模块及雷达系统的前端设计。
5. 各种便携式电子设备中的高频信号处理单元。
1SS387, MA4E2008T, BAT14-08W