时间：2025/5/8 8:56:24
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IRFZ34NS是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件由Vishay生产，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载切换等领域。IRFZ34NS以其低导通电阻和高电流处理能力著称，适合需要高效能和高可靠性的应用场合。
这款MOSFET具有快速开关特性和较低的栅极电荷，可以有效降低开关损耗，从而提升整体效率。其出色的热性能也使其能够适应严苛的工作环境。
最大漏源电压：55V
最大漏极电流：17A
导通电阻：0.028Ω
栅源开启电压：2V~4V
总栅极电荷：29nC
工作结温范围：-55℃~150℃
IRFZ34NS具备低导通电阻特性，能够减少导通状态下的功耗，从而提高系统的效率。
它还拥有快速开关速度，这有助于降低开关过程中的能量损失，并且提高了高频操作时的性能。
此外，IRFZ34NS的高雪崩能量能力增强了其在异常条件下的耐用性，例如负载突降或短路情况。
其TO-220封装提供了良好的散热性能，允许更高的功率密度和更紧凑的设计。
整体而言，IRFZ34NS是一个兼具高性能与可靠性的选择，适用于多种电力电子应用领域。
IRFZ34NS主要应用于开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、电机控制电路以及音频放大器等场景。
在汽车电子中，它可以用于电池管理、燃油喷射系统及电动车窗控制。
工业应用方面，这款MOSFET常见于逆变器、伺服驱动和固态继电器中。
另外，由于其出色的电气性能和稳定性，IRFZ34NS也非常适合家用电器和消费类电子产品中的负载切换和保护电路。
IRFZ44N
STP17NF55
IXYS: IXFK16N50T
FDP15N50
