时间：2025/8/1 16:53:26
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CS25N50ANR 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的平面工艺制造，具有高效率、低导通电阻和良好的热稳定性。适用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动器等多种应用场合。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：500V
连续漏极电流（ID）：25A
栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：0.18Ω（最大值）
功率耗散（PD）：200W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
CS25N50ANR 具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有高耐压能力，漏源电压可达 500V，适用于高压环境下的稳定工作。CS25N50ANR 的快速开关特性有助于减少开关损耗，并提升整体性能。器件采用 TO-220 封装，具有良好的散热能力和机械稳定性，适合高功率密度设计。该 MOSFET 还具备良好的抗雪崩能力和热稳定性，确保在极端工作条件下仍能可靠运行。其栅极驱动电压范围宽，兼容常见的 10V 和 12V 驱动电路，便于设计和应用。此外，CS25N50ANR 在高温下仍能保持稳定性能，适用于工业级和高可靠性应用场景。
CS25N50ANR 主要应用于各类功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 适配器、UPS（不间断电源）、LED 驱动电源、电池充电器、马达控制电路、工业自动化设备以及功率因数校正（PFC）电路等。在新能源领域，如太阳能逆变器和电动车充电模块中，该器件也常用于高效能功率转换。由于其高耐压和低导通电阻特性，CS25N50ANR 也适用于需要频繁开关操作的负载控制场合，如智能家电和工业电机驱动器。
IRF540N, FDP25N50, STF25N50
