时间：2025/9/4 0:27:41
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2EDN7533R是一款由英飞凌（Infineon）公司推出的高性能半桥式栅极驱动器芯片，广泛用于电力电子系统中，例如电机驱动、逆变器、电源转换器等。该器件专为驱动高功率MOSFET和IGBT而设计，具有高可靠性和稳定性，适用于需要高效能和高安全性的应用。
封装类型：PG-DSO-16
工作电压范围：10V至20V
最大输出电流：高端/低端各300mA（典型值）
传播延迟：小于150ns（典型值）
死区时间：可编程，最小值为50ns
工作温度范围：-40°C至+125°C
输入信号兼容性：CMOS/TTL兼容
隔离电压：1400V（高端侧浮动电压）
短路保护功能：具备
2EDN7533R是一款基于英飞凌的EDN系列技术的先进半桥驱动器，其内部集成了高端和低端两个驱动通道，适用于高功率密度应用。该芯片采用先进的电平转换技术，能够实现高端MOSFET/IGBT的可靠驱动，并具备抗干扰能力强的特点。此外，该芯片内置欠压保护（UVLO）功能，当电源电压低于设定阈值时自动关闭输出，防止功率器件工作在非安全区域，从而提高系统稳定性。
2EDN7533R还支持可编程死区时间控制，防止上下桥臂同时导通导致的直通现象，提升系统安全性。其紧凑的16引脚封装设计，使得PCB布局更加简洁，同时降低了寄生电感的影响。该芯片具备较强的抗dv/dt能力，确保在高开关速度下的稳定运行，适用于各种高频开关电源和电机控制场合。
该驱动器的输入端兼容CMOS和TTL逻辑电平，便于与微控制器、DSP或PWM控制器进行连接，提高了系统设计的灵活性。此外，其高端侧的浮动电源供电方式，使得该芯片能够适应不同的拓扑结构，如半桥、全桥以及推挽式转换器等。
2EDN7533R主要用于高功率电机驱动系统、变频器、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、工业自动化设备以及电动汽车充电系统等应用场合。由于其具备高集成度、高可靠性和强抗干扰能力，特别适用于需要长时间稳定运行的工业和汽车电子系统。
2EDN7534R、2EDN7523R、IRS2104、LM5112
