时间：2025/8/9 13:13:43
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FMC13N60E是一款由富士电机（Fuji Electric）制造的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、马达控制以及其他需要高效率和高功率密度的场合。这款MOSFET的额定电压为600V，最大连续漏极电流为13A，适用于中高功率的应用。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：600V
最大栅源电压（Vgs）：±30V
最大连续漏极电流（Id）：13A
最大功率耗散（Pd）：50W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220FM
FMC13N60E具有优异的导通和开关性能，主要得益于其先进的平面技术设计和优化的沟道结构。该器件的导通电阻较低，能够在高电流条件下提供较小的电压降，从而降低功耗并提高效率。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和较高的雪崩能量耐受能力，能够在极端条件下可靠运行。其封装形式（TO-220FM）不仅提供了良好的散热性能，还确保了在高功率应用中的机械稳定性。
该MOSFET的栅极驱动特性较为友好，适用于多种驱动电路设计，减少了外围电路的复杂度。同时，其快速开关特性能够有效降低开关损耗，从而提高系统的整体效率。FMC13N60E还具备较高的短路耐受能力，使其在高可靠性应用中表现出色。
FMC13N60E广泛应用于多种电力电子系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、马达驱动器以及工业自动化设备中的功率控制模块。其高电压和高电流能力使其非常适合用于需要高功率密度和高效率的设计。此外，该MOSFET也常用于家用电器、照明系统和电动汽车的充电设备中，作为关键的功率开关元件。
FQA13N60C, IRFBC40, FDPF13N60
