2DB1188P-13 时间：2025/12/26 11:48:57 阅读：27

2DB1188P-13是一款由Diodes Incorporated生产的双极性晶体管（Bipolar Junction Transistor, BJT），属于通用放大和开关应用的NPN型晶体管阵列。该器件集成了两个独立的NPN晶体管，采用SOT-26封装，具有小型化、高可靠性及良好的热稳定性，适用于便携式电子设备和高密度PCB布局设计。2DB1188P-13广泛用于电源管理、信号切换、LED驱动、逻辑缓冲以及小型电机控制等场景。其制造工艺符合RoHS环保标准，适合无铅焊接流程，并具备优良的一致性和批次稳定性，便于自动化贴片生产。
　　该晶体管阵列在设计上优化了增益匹配特性，使得两个通道之间的电流放大倍数较为接近，特别适用于需要对称性能的差分放大器或推挽输出电路中。此外，2DB1188P-13的工作温度范围宽，可在-55°C至+150°C环境下稳定运行，满足工业级与汽车级应用需求。由于其高性价比和多功能性，这款器件被广泛应用于消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居控制模块以及通信接口电路中。

参数

型号：2DB1188P-13
　　类型：双NPN晶体管阵列
　　封装：SOT-26
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大发射极-集电极电压（VECO）：50V
　　最大集电极-基极电压（VCBO）：70V
　　最大基极-发射极电压（VEBO）：6V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　直流电流增益（hFE）：100 ~ 400
　　过渡频率（fT）：200MHz
　　工作结温（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度（Tstg）：-55°C ~ +150°C

特性

2DB1188P-13的核心特性之一是其双NPN晶体管集成结构，能够在单一微型封装内提供两个完全独立且电气特性高度一致的晶体管单元，极大节省了PCB空间并简化了电路设计复杂度。每个晶体管均具备高达50V的集电极-发射极击穿电压，支持中低电压系统的可靠运行，例如3.3V、5V或12V供电环境下的信号处理与功率控制任务。该器件的直流电流增益（hFE）典型值在100至400之间，确保在小信号放大时具备足够的增益能力，同时在开关模式下也能实现快速饱和与截止转换，降低导通损耗。
　　高频性能方面，2DB1188P-13的过渡频率（fT）可达200MHz，使其不仅适用于音频放大、传感器信号调理等低频应用，也可胜任射频前端驱动、高速逻辑门缓冲等对响应速度要求较高的场合。其SOT-26封装具有优异的散热性能和机械强度，配合表面贴装技术可实现高密度组装，适应现代电子产品小型化趋势。此外，该器件内部未集成下拉电阻或其他偏置元件，属于裸晶体管配置，因此用户可根据具体应用灵活设置偏置网络，提高设计自由度。
　　在可靠性方面，2DB1188P-13通过了严格的AEC-Q101车规认证测试，具备较强的抗静电（ESD）能力和温度循环耐受性，适用于汽车电子中的灯光控制、车载传感器接口等严苛环境。同时，其低漏电流和稳定的温度系数保证了长期工作的稳定性，减少因环境变化引起的性能漂移问题。整体而言，2DB1188P-13是一款兼顾性能、尺寸与成本的理想选择，尤其适合批量生产的消费类与工业类电子产品。

应用

2DB1188P-13常用于各类需要双通道晶体管协同工作的电子系统中。典型应用场景包括但不限于：LED背光驱动电路，其中两个晶体管分别控制不同颜色或区域的亮度调节；在数字逻辑电平转换器中作为有源上拉或下拉元件，提升信号完整性；用于小型继电器或蜂鸣器的驱动电路，实现微控制器输出信号的功率放大；在模拟前端电路中构建差分对，用于运算放大器或比较器输入级的设计。
　　此外，该器件也广泛应用于电源管理模块中，如DC-DC转换器的反馈控制回路、负载开关的通断控制等。在通信接口保护电路中，2DB1188P-13可用于瞬态电压抑制后的信号恢复与整形。由于其良好的增益匹配特性，它还适用于音频前置放大器、麦克风信号放大等对通道一致性要求较高的模拟信号处理领域。在汽车电子方面，可用于车身控制模块（BCM）、车内照明调光、传感器信号调理等子系统。总之，凡涉及低功率信号放大、开关控制或逻辑缓冲的应用，2DB1188P-13都能提供高效可靠的解决方案。