型号：2DB1184Q
　　通道数：2
　　隔离耐压：5000VRMS（1分钟，UL认证）
　　工作电压范围：2.7V 至 5.5V（VDD1），4.5V 至 5.5V（VDD2）
　　最大数据速率：150Mbps
　　传播延迟：典型值10ns
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：±100kV/μs
　　电源电流：每通道典型2.5mA
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：16-pin SOIC-Wide
　　安全认证：UL 1577、DIN V VDE 0884-10 认证
　　隔离寿命：>50年

2DB1184Q的核心特性之一是其基于硅基电容隔离技术的高可靠性信号隔离机制。该技术通过在芯片内部构建高频调制的差分电容耦合结构，实现输入与输出之间的电气隔离，同时保持高速、低抖动的数据传输性能。这种架构相较于传统的光耦合器，具有更长的使用寿命、更高的温度稳定性以及更低的功耗表现。器件支持双通道双向通信，允许用户灵活配置信号流向，无需额外的控制引脚即可自动识别方向，极大简化了系统布线与逻辑设计。
　　该芯片具备出色的电磁兼容性（EMC）性能，其高共模瞬态抗扰度（CMTI）指标达到±100kV/μs，能够在开关电源、电机驱动等存在剧烈电压波动的应用环境中保持信号完整性，避免误触发或数据丢失。此外，2DB1184Q内置精确的温度监控与故障保护机制，当检测到过热或过压异常时可自动进入安全模式，防止器件损坏并提高系统安全性。
　　在功耗方面，2DB1184Q优化了静态电流与动态功耗之间的平衡，典型工作状态下每通道仅消耗约2.5mA电流，适合用于对能效要求较高的便携式设备或远程传感系统。其宽工作温度范围（-40°C至+125°C）使其可在极端工业环境条件下可靠运行。所有输入引脚均具备施密特触发器设计，增强了对慢变或噪声信号的抗干扰能力，减少误翻转现象。同时，器件支持高达150Mbps的数据速率，满足高速SPI、I2C、UART等数字接口的隔离需求，适用于实时控制系统中的快速响应场景。

2DB1184Q常用于需要高可靠性和强抗干扰能力的工业自动化系统中，例如PLC模块、现场总线隔离接口、工业传感器信号调理单元等。在电机驱动和逆变器控制系统中，该芯片可用于隔离微控制器与栅极驱动器之间的PWM信号，有效阻断高压侧对低压控制电路的干扰，提升系统稳定性与安全性。在新能源领域，如光伏逆变器和电动汽车充电桩中，2DB1184Q被广泛应用于直流母线电压采样隔离、电池管理系统（BMS）通信隔离等关键环节，保障高压与低压部分的安全交互。
　　在医疗电子设备中，由于对电气安全和绝缘等级有严格要求，2DB1184Q凭借其通过UL和VDE认证的增强型隔离能力，成为隔离式患者监测设备、医用电源和诊断仪器的理想选择。此外，在通信基础设施中，如48V电源系统、RS-485/RS-232隔离收发器、以太网供电（PoE）模块中，该器件也发挥着重要作用，防止地电位差引起的通信中断或设备损坏。
　　对于测试与测量仪器，2DB1184Q可用于隔离高精度ADC/DAC前端，避免数字噪声影响模拟信号质量，从而提高测量精度。其小型化SOIC-Wide封装有助于节省PCB空间，特别适合高密度布局的设计需求。总体而言，2DB1184Q适用于任何需在恶劣电磁环境或高压差条件下实现安全、高速、低延迟数字信号传输的应用场合。

ISO7221AQDR