2607 是一个常见的电子元器件编号,通常指的是 Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)生产的 N 沟道功率 MOSFET,型号为 FQP2607。该器件广泛用于功率开关、电源管理、马达控制以及 DC-DC 转换器等应用。该 MOSFET 具有低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,使其在中高功率应用中非常受欢迎。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏极电流(Id):75A
最大漏源电压(Vds):75V
最大栅源电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):0.022Ω @ Vgs=10V
功率耗散(Pd):200W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-262(表面贴装)或 TO-220(通孔)
FQP2607 是一款性能优越的功率 MOSFET,其核心优势在于低导通电阻,这显著减少了导通状态下的功率损耗,提高了系统效率。
该器件支持高达 75A 的连续漏极电流,适用于需要高电流处理能力的应用场景。
此外,FQP2607 的封装形式包括 TO-220 和 TO-262,分别适用于通孔和表面贴装技术,具有良好的热性能和机械稳定性。
它的栅极驱动电压范围较宽,通常在 4V 至 10V 之间即可充分导通,这使得它能够与多种驱动电路兼容。
该 MOSFET 还具备良好的抗雪崩击穿能力,提高了器件在高能脉冲环境下的可靠性。
由于其高耐压能力和低导通电阻的特性,FQP2607 在电源转换器、马达驱动器和负载开关等应用中表现出色。
FQP2607 常用于电源管理、DC-DC 转换器、同步整流器、电池充电系统、马达控制、负载开关和功率放大器等应用中。
在电源设计中,它被广泛用于降压和升压转换器,以实现高效能的能量转换。
在工业自动化和汽车电子中,该 MOSFET 可用于驱动高功率负载,如马达和电磁阀。
同时,其高可靠性和良好的热性能也使其适用于高要求的工业和汽车环境。
FQP2607 可以被以下型号替代:IRF2807(英飞凌)、FDP2607(安森美)、SiR876DP(Vishay)、FDMS7680(安森美)、TPH2R408QM(东芝)