类型：NPN晶体管
　　封装类型：SOT-23
　　最大集电极-发射极电压：30V
　　最大集电极电流：100mA
　　最大功耗：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　频率范围：100MHz 至 1GHz
　　增益（hFE）：100至800（根据电流和配置不同）
　　噪声系数：约0.7dB（典型值）
　　过渡频率：250MHz

LBAV3004T1H 晶体管具备出色的低噪声性能，适合用于无线通信设备中的前置放大器电路。该晶体管的噪声系数通常在0.7dB以下，这在高频段（如UHF和VHF）中尤为重要，能够有效提高接收机的灵敏度和信号质量。
　　此外，该晶体管具有高增益和良好的线性度，确保信号放大过程中失真最小。其hFE（电流增益）范围较广，允许在不同的偏置条件下灵活使用，适用于多种放大器拓扑结构，如共发射极、级联放大器和低噪声放大器（LNA）等。
　　LBAV3004T1H 采用 SOT-23 小型封装，便于在高密度电路板上布局，并具有良好的热稳定性和可靠性。这种封装也使得该器件适用于表面贴装技术（SMT），提高了生产效率和产品一致性。
　　由于其工作频率范围覆盖100MHz至1GHz，该晶体管广泛应用于移动通信、Wi-Fi设备、蓝牙模块、无线局域网（WLAN）和其它射频前端模块中。其高过渡频率（250MHz）确保在高频应用中仍能保持良好的增益性能。

LBAV3004T1H 主要用于需要低噪声放大的高频电路中，如无线通信接收器、射频信号放大器、中频放大器、无线传感器网络节点、物联网（IoT）设备和便携式通信设备。该晶体管的高增益和低噪声特性使其成为高性能射频前端设计的理想选择。

BFU520, BFG21, BFR106, BFQ69