晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　电流增益（hFE）：110至800（根据不同的工作条件）
　　频率响应：250MHz（典型值）

LDTA115EET1G具有优良的电气特性和可靠性，适用于广泛的电子应用。其主要特性包括高电流增益（hFE），这使得它在信号放大电路中表现出色，能够有效地放大微弱信号。此外，该晶体管的频率响应高达250MHz，使其适合用于高频应用，如射频（RF）和高速开关电路。
　　LDTA115EET1G的封装形式为SOT-23，这种小型封装不仅节省空间，而且便于自动化装配，适合批量生产。晶体管的工作温度范围宽，从-55°C到150°C，使其能够在各种环境条件下稳定工作，适用于工业级和汽车电子应用。
　　该晶体管的电流容量为100mA，能够处理相对较大的负载电流，适用于驱动继电器、LED和小型电机等负载。LDTA115EET1G的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）较低，有助于减少功耗并提高能效，延长电池寿命（在便携式设备中使用时）。此外，其300mW的功耗特性使其在正常工作条件下不易过热，提高了器件的可靠性。

LDTA115EET1G适用于多种电子设备和系统，特别是在需要通用开关和信号放大的场合。常见的应用包括音频放大器、数字逻辑电路、电源开关、LED驱动电路和继电器控制电路。
　　在音频放大器中，LDTA115EET1G可以作为前置放大器级，用于放大来自麦克风或其他音频源的微弱信号。由于其高电流增益特性，它能够提供足够的信号增益，确保后续放大级能够有效地放大信号。
　　在数字逻辑电路中，该晶体管可以用作开关元件，控制电路的通断状态。例如，在微控制器的输出端口，LDTA115EET1G可以用来驱动LED、小型继电器或其它外围设备，实现信号的开关控制。
　　此外，LDTA115EET1G也常用于电源管理电路中，如电池充电器和DC-DC转换器。它可以作为开关元件，控制电流的流动，确保电源系统的稳定性和效率。
　　在汽车电子系统中，LDTA115EET1G可用于控制车灯、风扇、电动窗等设备。其宽工作温度范围和可靠性使其适合在汽车环境中使用，即使在极端温度条件下也能保持稳定的工作性能。

BC847 NPN, 2N3904, MMBT3904