时间：2025/6/12 4:15:45
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251R14S5R6BV4T 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该芯片采用先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高系统的效率和稳定性。
该器件通常被设计为 N 沟道增强型场效应晶体管，适用于高电流和高电压的应用环境。通过优化栅极电荷和阈值电压参数，251R14S5R6BV4T 在高频工作条件下表现出色。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：14A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：80nC
总功耗：200W
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：TO-247
251R14S5R6BV4T 具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提高整体效率。
2. 快速开关能力，支持高频应用，减少开关损耗。
3. 高击穿电压确保在高压环境下可靠运行。
4. 内置反向二极管，适合同步整流电路。
5. 优秀的热性能，支持长时间稳定工作。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
该芯片适用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率转换。
2. 工业电机驱动和控制。
3. 电动车和混合动力汽车中的逆变器模块。
4. 电信设备中的负载切换。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
6. 各类需要高效功率管理的电子设备。
IRF250N, FDP14N60C, BUK9D06-60E
