FN21N562J500ECG是一款由Fairchild(现为ON Semiconductor的一部分)生产的N沟道MOSFET。该器件主要应用于高频开关、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等领域,具有低导通电阻和快速开关速度的特点。其出色的性能使其在电源管理电路中非常受欢迎。
最大漏源电压:55V
最大连续漏极电流:3.7A
最大栅极源极电压:±20V
导通电阻:45mΩ
栅极电荷:10nC
总功耗:1.1W
工作温度范围:-55°C至150°C
FN21N562J500ECG采用先进的制造工艺,具备以下优点:
1. 极低的导通电阻,可有效减少功率损耗。
2. 快速的开关速度,适合高频应用。
3. 较小的封装尺寸(SOT-23),便于高密度电路板设计。
4. 高可靠性,在恶劣环境下也能保持稳定运行。
5. 符合RoHS标准,环保且安全。
该器件还经过严格的质量控制流程,确保长期使用中的稳定性与一致性。
这款MOSFET广泛适用于多种电子设备和系统,包括但不限于:
1. 手机充电器及适配器中的同步整流。
2. 笔记本电脑和其他便携式设备的电源管理系统。
3. LED驱动器以实现高效亮度调节。
4. 工业控制领域的小型电机驱动。
5. 汽车电子中的负载切换功能。
由于其高性能和紧凑设计,它成为许多工程师在设计中小功率开关应用时的首选。
IRLML2502
FDMQ8209
AO3400