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CMPT5551 发布时间 时间:2025/8/10 18:23:05 查看 阅读:10

CMPT5551是一款由Central Semiconductor制造的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该晶体管设计用于高频放大和开关应用,具有良好的性能特性和可靠性,适合在多种电子电路中使用。

参数

晶体管类型:NPN
  最大集电极电流(Ic):100mA
  最大集电极-发射极电压(Vce):50V
  最大集电极-基极电压(Vcb):75V
  最大功耗(Ptot):300mW
  电流增益(hFE):在Ic=2mA时为110-800(根据等级不同)
  频率响应(fT):100MHz
  工作温度范围:-55°C至+150°C

特性

CMPT5551晶体管具有优异的高频性能,适用于需要高频操作的电路设计。其电流增益范围较宽,提供了设计灵活性,能够适应不同的放大需求。此外,该晶体管封装为SOT-23,体积小巧,便于在紧凑型电子设备中使用。
  这款晶体管的可靠性高,能够在较宽的温度范围内稳定工作,使其适用于工业和消费类电子产品。CMPT5551的低功耗特性也使其在电池供电设备中具有优势。其封装设计确保了良好的散热性能,同时兼容标准的表面贴装工艺,方便大规模生产和组装。
  CMPT5551的多功能性使其成为射频(RF)放大器、音频放大器、开关电路以及其他通用放大电路的理想选择。由于其广泛的应用范围和优良的电气特性,该晶体管被许多电子设计工程师所青睐。

应用

CMPT5551常用于射频放大器、音频放大器、开关电路、振荡器以及各种通用电子电路中的信号放大和控制。此外,它也适用于消费类电子产品、工业控制系统和通信设备中的信号处理应用。

替代型号

2N3904, BC547, PN2222

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CMPT5551参数

  • 制造商Central Semiconductor
  • 产品种类Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO160 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO6 V
  • 最大直流电集电极电流0.6 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min80 at 1 mA at 5 V
  • 配置Single
  • 最大工作频率300 MHz
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SOT-23
  • 封装Reel
  • 最小工作温度- 65 C
  • 功率耗散350 mW
  • 工厂包装数量3000
  • 零件号别名3000 PCS T&R