您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > HMJ212BB7472KGHT

HMJ212BB7472KGHT 发布时间 时间:2025/7/1 22:15:00 查看 阅读:8

HMJ212BB7472KGHT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高效率和出色的热性能,能够满足工业级和消费级应用的需求。
  该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET,其设计旨在优化开关性能和降低功耗,特别适合高频应用环境。

参数

最大漏源电压:70V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:65nC
  开关速度:超高速
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:TO-247

特性

HMJ212BB7472KGHT 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 高频开关能力,适用于高频 PWM 控制器。
  3. 出色的热稳定性,能够在高温环境下长期稳定运行。
  4. 内置 ESD 保护功能,提高了芯片的抗静电能力。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且安全。
  6. 提供卓越的电流承载能力,支持大功率应用。
  这些特性使 HMJ212BB7472KGHT 成为众多电力电子应用的理想选择。

应用

这款功率 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件。
  2. 电机驱动电路,用于控制直流或无刷电机。
  3. DC-DC 转换器,提供高效的电压调节。
  4. 太阳能逆变器,实现能量转换。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统(BMS)。
  由于其高性能和可靠性,HMJ212BB7472KGHT 在多个行业中得到了广泛应用。

替代型号

IRFP2907,
  STP120NF70,
  IXYS12N70C

HMJ212BB7472KGHT推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

HMJ212BB7472KGHT资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

HMJ212BB7472KGHT参数

  • 现有数量1,440现货
  • 价格1 : ¥2.70000剪切带(CT)2,000 : ¥0.61024卷带(TR)
  • 系列M
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态不适用于新设计
  • 电容4700 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性软端子
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级,Boardflex 敏感
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.053"(1.35mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-