型号：K4S561632B-TC1H
　　制造商：Samsung
　　器件类型：SDR SDRAM
　　存储容量：256 Mbit (32 MB)
　　组织结构：4 Meg x 16 I/O x 4 Banks
　　工作电压：3.3V ± 0.3V
　　数据宽度：16位
　　引脚数量：54-pin
　　封装类型：TSOP-I
　　时钟频率：最高133 MHz
　　访问时间：7 ns / 10 ns（根据速度等级）
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　刷新模式：自动与自刷新
　　逻辑电平：LVTTL
　　封装尺寸：标准54-pin TSOP
　　存储阵列：4 Banks, 每bank 4,194,304行 x 16列

K4S561632B-TC1H具备多项关键特性，使其在同期SDRAM产品中表现出良好的性能与可靠性。首先，该芯片采用四体（4-bank）架构设计，允许在不同bank之间进行交错操作，从而显著提升内存带宽利用率。每个bank可独立进行激活、读写和预充电操作，有效减少了等待时间，提高了连续数据访问的效率。其次，该器件支持标准SDR SDRAM协议，包括突发长度可编程（1、2、4、8字）、突发类型选择（顺序或交织）以及CAS潜伏期（CL=2或CL=3）配置，使系统可以根据实际需求优化内存性能。此外，K4S561632B-TC1H集成了自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self-refresh）功能，能够在保持数据完整性的同时降低功耗，特别适用于需要长时间运行但对能耗敏感的应用环境。
　　在电气特性方面，该芯片采用3.3V供电，符合低压TTL（LVTTL）电平标准，确保与大多数3.3V主控芯片（如DSP、FPGA或传统MPU）的良好兼容性。其输出驱动能力经过优化，在高速切换下仍能保持信号完整性，减少串扰和反射问题。同时，内部采用CMOS工艺制造，静态功耗较低，动态功耗随使用频率线性增长，适合多种电源管理策略。封装上采用54引脚TSOP-I形式，具有良好的散热性能和焊接可靠性，支持表面贴装工艺，适用于自动化生产流程。
　　该芯片还具备完善的时序控制机制，所有输入信号均在时钟上升沿被采样，命令通过地址和控制引脚组合定义，实现了高度同步的操作模式。内置延迟锁定环（DLL）虽不在此型号中配备（常见于DDR器件），但其精确的时序参数仍能满足PC133等标准要求。最后，K4S561632B-TC1H通过了严格的工业级测试，具备较强的抗干扰能力和长期运行稳定性，是许多legacy系统中的可靠内存解决方案。

K4S561632B-TC1H主要应用于各类需要中等容量同步动态内存支持的电子系统中。典型应用包括早期的网络通信设备，如路由器、交换机和DSL调制解调器，这些设备利用其16位数据宽度和多bank结构实现高效的数据包缓存与转发处理。此外，在工业自动化领域，该芯片常用于PLC控制器、HMI人机界面和嵌入式工控主板中，提供稳定可靠的运行内存支持。消费类电子产品如数字电视、机顶盒、DVD播放器以及老式游戏机也广泛采用此类SDRAM作为主存或图形缓冲存储器。
　　在图像处理和视频监控设备中，K4S561632B-TC1H因其较高的突发传输速率和低延迟特性，可用于帧缓存存储，支持实时图像采集与显示。某些基于ARM7、ARM9或PowerPC架构的嵌入式处理器系统也会将其作为外部扩展内存使用，以弥补片上SRAM容量不足的问题。此外，在测试仪器、医疗设备和POS终端等对成本与稳定性有较高要求的场合，该芯片凭借其成熟的技术和长期供货记录成为理想选择。
　　尽管当前主流市场已转向DDR/DDR2及以上技术，K4S561632B-TC1H仍在维修市场和替代升级项目中发挥重要作用。对于需要维护老旧设备的企业或个人用户，寻找功能匹配的替代品或二手原装件时，该型号仍是一个重要的参考基准。此外，在教学实验和电子爱好者项目中，由于其接口相对简单、时序清晰，也被用于学习SDRAM工作原理和总线驱动开发的实践平台。

K4S561632C-UC75
　　MT48LC16M16A2P-75
　　IS42S16400-7BLI