型号：251R14S130FV4T
　　类型：增强型功率晶体管
　　材料：氮化镓 (GaN)
　　最大漏源电压 (Vds)：600V
　　栅极阈值电压 (Vgs(th))：2.5V 至 4V
　　最大漏电流 (Id)：14A
　　导通电阻 (Rds(on))：30mΩ
　　最大工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247-4L

251R14S130FV4T 拥有多种优异特性，包括但不限于以下：
　　1. 高效开关性能：得益于 GaN 材料的优异特性，该器件能够在高频下实现快速开关，从而显著提高效率。
　　2. 低导通电阻：仅为 30mΩ 的 Rds(on) 能够有效降低传导损耗。
　　3. 热性能优越：采用 TO-247-4L 封装，散热能力突出，能够确保长期稳定运行。
　　4. 宽禁带半导体：相比传统硅基 MOSFET，GaN 器件具备更高的击穿电场强度和更低的寄生电容，适合高频应用场景。
　　5. 高可靠性：通过严格的工艺控制和测试流程，确保了器件在极端条件下的稳定性与一致性。
　　6. 易于驱动：较低的栅极电荷 (Qg) 和合理的栅极阈值电压使得该器件可以轻松与现有驱动电路兼容。

251R14S130FV4T 广泛应用于各种电力电子领域，具体包括：
　　1. 开关电源 (SMPS)：用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器中的主功率级，提升效率并减小体积。
　　2. 射频功率放大器：凭借其高频特性和高输出功率能力，在通信基站和其他无线应用中表现出色。
　　3. 新能源汽车：作为车载充电器、逆变器等核心组件的一部分，助力电动车行业的发展。
　　4. 工业自动化：为电机驱动器、伺服控制器等工业设备提供高效的功率转换解决方案。
　　5. 可再生能源系统：例如太阳能逆变器和风力发电机接口，以实现更高能量转换效率。

251R14S120FV4T
　　251R12S130FV4T
　　GAN063-650WSA